[发明专利]具有缺陷的氧掺杂二硫化钼材料的制备方法及其应用有效

专利信息
申请号: 202010381391.1 申请日: 2020-05-07
公开(公告)号: CN111545161B 公开(公告)日: 2021-08-13
发明(设计)人: 夏令;黄吴吉;王涵;杨浪;宋少先 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: B01J20/06 分类号: B01J20/06;C01G39/06;C02F1/28;B01J20/30;C02F101/30
代理公司: 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 代理人: 刘琳;冯超
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 具有 缺陷 掺杂 二硫化钼 材料 制备 方法 及其 应用
【权利要求书】:

1.一种具有缺陷的氧掺杂二硫化钼材料在吸附亚甲基蓝中的应用,其特征在于:

所述具有缺陷的氧掺杂二硫化钼材料的制备方法包括以下步骤:

1)按重量比2.48:4.56 :72称取四水合钼酸铵、硫脲和去离子水,备用;

2)将四水合钼酸铵和硫脲溶于步骤1)所述去离子水中,得到混合物;

3)将混合物加入反应釜中,在温度为220 ℃下水热反应24 h;得到黑色沉淀物;

4)将黑色沉淀物用去离子水洗涤,在温度为60 ℃条件下真空干燥,最后在温度为330℃的空气条件下煅烧2 h;得到具有缺陷的氧掺杂二硫化钼材料;

所述应用的方法如下:

将所述具有缺陷的氧掺杂二硫化钼材料置于含有亚甲基蓝的溶液中,放置于空气浴中振荡吸附,所述空气浴中,振荡频率为150 rpm,吸附温度为10~40 ℃,吸附时间为0~300min。

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