[发明专利]复合式电路保护装置在审
| 申请号： | 202010381456.2 | 申请日： | 2020-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN113629660A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 陈继圣;江长鸿 | 申请（专利权）人： | 富致科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/10 | 分类号： | H02H3/10;H02H3/20 |
| 代理公司： | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人： | 张雅军;谢琼慧 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合 电路 保护装置 | ||
1.一种复合式电路保护装置，其特征在于：其包含：
第一PTC元件，包括：
第一PTC层，具有两个相反表面，及
分别设置在该第一PTC层的两个相反表面的第一电极层及第二电极层；
第二PTC元件，包括：
第二PTC层，具有两个相反表面，及
分别设置在该第二PTC层的两个相反表面的第三电极层及第四电极层；
压敏电阻器，连接于该第一PTC元件的第二电极层及该第二PTC元件的第三电极层；
第一导电引线，连结于该第一PTC元件的第一电极层；
第二导电引线，连结于该压敏电阻器；及
第三导电引线，连结于该第二PTC元件的第四电极层。
2.根据权利要求1所述的复合式电路保护装置，其特征在于：该第一PTC元件具有的额定电压介于40％至200％该压敏电阻器在1mA下量测的压敏电压。
3.根据权利要求2所述的复合式电路保护装置，其特征在于：该第一PTC元件具有的额定电压介于110％至200％该压敏电阻器在1mA下量测的压敏电压。
4.根据权利要求1所述的复合式电路保护装置，其特征在于：该第一PTC元件或该第二PTC元件处于过电流及大于该压敏电阻器的压敏电压的电压下而在该压敏电阻器烧毁之前跳闸。
5.根据权利要求1所述的复合式电路保护装置，其特征在于：该第一PTC元件或该第二PTC元件处于过电流及大于该压敏电阻器的压敏电压的电压下而在10μs至10s之内跳闸。
6.根据权利要求1所述的复合式电路保护装置，其特征在于：该第一PTC元件或该第二PTC元件处于不小于0.5A的过电流及大于该压敏电阻器的压敏电压的电压下而在1ms至10s之内跳闸。
7.根据权利要求1所述的复合式电路保护装置，其特征在于：该第一PTC元件或该第二PTC元件处于不小于10A的过电流及大于该压敏电阻器的压敏电压的电压下而在1ms至1s之内跳闸。
8.根据权利要求1所述的复合式电路保护装置，其特征在于：该第一PTC元件在该第一PTC层中形成有第一孔洞。
9.根据权利要求8所述的复合式电路保护装置，其特征在于：该第一PTC元件的第一PTC层具有周缘，该周缘定义该第一PTC层的边界并与该第一PTC层的两个相反表面互连，该第一孔洞与该第一PTC层的周缘相间隔。
10.根据权利要求8所述的复合式电路保护装置，其特征在于：该第一孔洞贯穿该第一PTC层的两个相反表面中的至少其中一者。
11.根据权利要求10所述的复合式电路保护装置，其特征在于：该第一孔洞还贯穿该第一电极层及该第二电极层中的至少其中一者。
12.根据权利要求8所述的复合式电路保护装置，其特征在于：该第二PTC元件在该第二PTC层中形成有第二孔洞。
13.根据权利要求12所述的复合式电路保护装置，其特征在于：该第二PTC元件的第二PTC层具有周缘，该周缘定义该第二PTC层的边界并与该第二PTC层的两个相反表面互连，该第二孔洞与该第二PTC层的周缘相间隔。
14.根据权利要求12所述的复合式电路保护装置，其特征在于：该第二孔洞贯穿该第二PTC层的两个相反表面中的至少其中一者。
15.根据权利要求14所述的复合式电路保护装置，其特征在于：该第二孔洞还贯穿该第三电极层及该第四电极层中的至少其中一者。
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