[发明专利]微波器件的制造设备和制造方法有效

专利信息
申请号: 202010381497.1 申请日: 2020-05-08
公开(公告)号: CN113621929B 公开(公告)日: 2023-04-11
发明(设计)人: 杨志刚;王志建;郭久林 申请(专利权)人: 武汉光谷创元电子有限公司
主分类号: C23C14/50 分类号: C23C14/50;C23C14/48;C23C14/35;C23C14/22;C23C14/20;H01P11/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 刘林华;金飞
地址: 430070 湖北省武汉市东湖开发区*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 微波 器件 制造 设备 方法
【说明书】:

发明涉及一种微波器件的制造设备和制造方法。微波器件的制造设备(1)包括:夹具(10,10'),所述夹具(10,10')包括能够围绕第一轴线(A1)旋转的基座(11)、以及能够围绕第二轴线(A2)摆动的托架(12),所述托架(12)连接至所述基座(11)以用于保持绝缘基体(40),其中所述第一轴线(A1)与所述第二轴线(A2)相交;用于朝所述绝缘基体(40)释放金属离子的源头(20);以及控制器(30),所述控制器(30)耦合至所述夹具(10,10')和所述源头(20),并且构造成控制所述夹具(10,10')的运动模式和/或所述源头(20)的角度,使得所述绝缘基体(40)从多个角度接收所述金属离子,并在所述绝缘基体(40)的所有表面(41)上形成金属层(50)。

技术领域

本发明涉及微波器件的制造设备和制造方法,尤其涉及用于对微波器件绝缘基体的表面进行金属化的设备和方法。

背景技术

微波器件是指工作在微波波段(频率为300-300000兆赫)的器件,包括微波振荡器、功率放大器、混频器、检波器、滤波器、天线振子或者手机天线等,广泛地应用于航空航天、雷达、电子对抗、广播及通信系统等电子装备中。以滤波器为例,它是一种频率选择装置,能够仅使有用信号通过并有效地抑制无用信号,解决不同频段、不同形式的通讯系统之间的干扰问题。滤波器的阶数越高,单位面积内的功能电子元件就越多,性能越好,相应地制造难度也越大。如何使同样阶数的滤波器尺寸更小或者使同样尺寸的滤波器阶数更高以提高滤波器的性能,这成为行业研究的热点问题。

腔体滤波器采用谐振腔体结构,其中一个腔体能够等效成电感并联电容而形成一个谐振级,实现滤波功能。较之其他滤波器,腔体滤波器结构牢固、体积小、性能稳定可靠、Q值适中、散热性好,易于实现高阶滤波器,因此广泛地应用于通信基站中。如图1所示,典型的腔体滤波器60包括底面61和侧面62,在底部设有若干实心或空心的谐振柱63,由隔离墙64将腔体内部分割为若干谐振腔,还在隔离墙64上开设有槽孔65以实现谐振腔之间的联通。

腔体滤波器主要有以下两方面要求:材料的刚性和耐高温性能好;表面金属层的粗糙度低、结合力高。腔体滤波器的绝缘基材通常包括PEI、PI、PPS、LCP、ABS等高分子聚合物材料,它们具有较高的玻璃化转变温度Tg和较低的热膨胀系数CTE。以这些材料为基础的塑料腔体滤波器具备轻便、均匀性好、较低的Dk和Df、容易加工、调试效率高、适合一体化设计等优点,具有良好的应用前景。为了进一步降低CTE并提高导热率,高分子聚合物材料也可以与玻璃纤维、陶瓷、矿物等无机填料一同使用。此外,表面金属层的粗糙度决定信号反射、震荡及插损性能,而结合力影响金属层的剥离,并进而影响滤波器性能的稳定性。目前,主要采用如下工艺对腔体滤波器的表面进行金属化:先用粗化药水和/或喷砂粗化,然后化镀Pd和Cu,或者化镀Pd和Ni,再进行电镀Cu(≥5μm)和Ag(≥1μm)。在此,为保证结合力而采用的化学处理引起较大的粗糙度(Ra达到1.6μm),喷砂处理则会引起更大的粗糙度,从而导致关键的电性能插损较大。

此外,高阶滤波器或腔体滤波器的制造难点之一在于表面金属化工艺。对体积小、排布密集的各种3D器件基材,如何实现其表面无死角、均匀的金属化,对于滤波器制造而言是至关重要的。现有技术工艺对于各种微小3D结构的边角、或者深孔的金属化是十分乏力的,无法解决死角处的金属表面裂缝、尖锐凸起、空洞、金属与基材结合力差等问题,这些问题会导致滤波器的性能大幅下降。例如,腔体滤波器内的所有表面都需要金属化。随着通道数增加,例如从1通道增加到4通道、8通道,腔体内谐振柱和隔离墙的数量也会大幅增加,腔体深度可达到15mm以上。在此情况下,如果在真空处理时绝缘基体表面相对于源头没有一定的角度,那么在谐振柱底部区域、隔离墙底部区域、腔壁内侧底部区域等,金属镀层就会很薄甚至成为死角,即没有金属镀层的区域。

发明内容

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉光谷创元电子有限公司,未经武汉光谷创元电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010381497.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top