[发明专利]半导体封装在审
申请号: | 202010381690.5 | 申请日: | 2020-05-08 |
公开(公告)号: | CN112086413A | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 崔伦华;赵廷焄 | 申请(专利权)人: | JMJ韩国株式会社 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L25/18;H01L23/46;H01L21/50 |
代理公司: | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人: | 刘云飞 |
地址: | 韩国京畿道富*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装,其特征在于,
通过如下步骤模块化制造:
准备安置半导体芯片的主模块、绝缘剂、一个以上的子模块的步骤;
准备所述半导体芯片的步骤;
准备用于粘接所述半导体芯片的粘接剂的步骤;
将所述半导体芯片附着在所述主模块的上面或上下面的步骤;
进行所述半导体芯片的电性连接的步骤;
准备形成有可电性连接的图案的基板的步骤;及
将所述主模块的一侧面垂直地附着在所述基板的图案而电性连接的步骤。
2.根据权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,
所述主模块和所述子模块包括导电金属。
3.根据权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,
所述粘接剂含有焊料系列或含有Ag或Cu烧结材料。
4.根据权利要求2所述的半导体封装,其特征在于,
在所述主模块的上面或上下面附着安装至少一个以上的所述半导体芯片。
5.根据权利要求4所述的半导体封装,其特征在于,
所述半导体芯片为多个,通过金属夹片相互电性连接,或所述半导体芯片与所述子模块通过导电配线相互电性连接。
6.根据权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,
所述基板由绝缘物质和在所述绝缘物质上形成的金属图案构成。
7.根据权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,
通过超音波焊接、焊接或烧结方式,将所述主模块的一侧面垂直地附着在所述基板的图案而电性连接。
8.根据权利要求7所述的半导体封装,其特征在于,
所述半导体芯片由功率二极管和功率DVC构成,所述功率二极管与所述功率DVC通过金属夹片电性连接,所述功率二极管与所述子模块通过导电配线或导电金属电性连接而构成单位的功率模块,
将由第1功率模块、第2功率模块、隔片模块构成的组模块垂直地附着在所述基板的图案而相互电性连接。
9.根据权利要求8所述的半导体封装,其特征在于,
所述组模块的子模块与所述基板通过导电配线或导电金属电性连接。
10.根据权利要求9所述的半导体封装,其特征在于,
还包括在半导体封装主体上形成所述组模块和所述基板的步骤,
形成连接于在所述基板上连接的所述导电配线的接线销,所述接线销在所述基板上垂直地形成,或在所述半导体封装主体插入形成而通过导电配线或导电金属与所述基板电性连接。
11.根据权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,
在所述主模块的另一侧面还包括相互电性连接的另一个基板。
12.根据权利要求11所述的半导体封装,其特征在于,
所述基板及所述另一个基板由一个以上的金属层、绝缘层、一个以上的金属层顺次地层积而形成,或由一个以上的金属层和绝缘层顺次地层积而形成。
13.根据权利要求12所述的半导体封装,其特征在于,
所述基板及所述另一个基板由单一的金属层形成,所述金属层的厚度为0.1mm至10mm。
14.根据权利要求10所述的半导体封装,其特征在于,
还包括冷却管:其从所述半导体封装主体外部向所述主模块的孔延伸形成,以使冷却剂循环。
15.根据权利要求10所述的半导体封装,其特征在于,
还包括冷却管:其从所述半导体封装主体外部向所述隔片模块的孔延伸形成,以使冷却剂循环。
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