[发明专利]N-Si基板的抛光工艺

权利要求书

1.N-Si基板的抛光工艺，其特征在于，包括如下步骤：

A、粗抛光：采用PH值为7、浓度为20％，粒径为5μm的氧化铝抛光液进行抛光，控制抛光压力为2g/cm²，抛光盘转速为80rpm；

B、精抛光：采用PH值为7，浓度为20％，粒径为2μm的氧化铝抛光液进行抛光，控制抛光机的压力为2g/cm²，抛光盘转速为70rpm；

C、化学机械抛光：采用PH为9.5，浓度为15％，粒径为30nm的硅溶液，以H₂O₂和硅溶液比为1:10的比例范围加入H₂O₂，进行混合搅拌得到的溶液作为抛光液进行抛光，控制抛光机的压力为2g/cm²，抛光盘转速为60rpm；

D、对N-Si基板进行进行切割；

E、将切割后的N-Si基板放置于装有丙酮溶液的烧杯中，通过超声波振荡器清洗15-20分钟；

F、清洗完成后将N-Si基板放置于装有甲醇溶液的烧杯中，利用超声波振荡器清洗15-20分钟；

G、完成清洗后将N-Si基板放置于装有去离子水的烧杯中；

H、完成操作后，检查基板表面是否有残留物，有则重复E-G步骤操作；

I、使用氮气将基板表面吹干，放置烤箱中烘烤10分钟，即完成抛光工艺。

2.根据权利要求1所述的N-Si基板的抛光工艺，其特征在于，所述步骤A-C中均采用抛光布辅助进行。

3.根据权利要求1所述的N-Si基板的抛光工艺，其特征在于，所述粗抛光时间在10分钟-30分钟，精抛光时间在30分钟-1小时，化学机械抛光时间在1小时-1.5小时。

4.根据权利要求1所述的N-Si基板的抛光工艺，其特征在于，所述步骤D中基板切割大小根据需要进行选择。