[发明专利]铁电存储器和逻辑单元及操作方法在审

专利信息
申请号: 202010381912.3 申请日: 2020-05-08
公开(公告)号: CN112002360A 公开(公告)日: 2020-11-27
发明(设计)人: 斯特凡·斯列萨策克;米兰·佩希奇 申请(专利权)人: 纳姆实验有限责任公司
主分类号: G11C11/22 分类号: G11C11/22
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 刘彬
地址: 德国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 逻辑 单元 操作方法
【权利要求书】:

1.一种存储单元,包括:

节点;

层堆叠,包括:

第一电极;

第二电极,连接到所述节点;

可极化材料层,设置在所述第一电极与所述第二电极之间并具有至少两种极化状态;

第一晶体管,具有源极、漏极和栅极端子,所述栅极端子连接到所述节点;以及

选择器元件,至少具有第一端子和第二端子,所述第二端子连接到所述节点。

2.根据权利要求1所述的存储单元,所述层堆叠包括铁电材料。

3.根据权利要求1所述的存储单元,所述层堆叠的所述第一电极连接到板线,并且所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的一个连接到参考电压。

4.根据权利要求3所述的存储单元,所述参考电压包括接地。

5.根据权利要求3所述的存储单元,所述选择器元件包括具有源极、漏极和栅极的第二晶体管,其中,所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的一个表示所述选择器元件的所述第二端子并连接到所述节点,并且所述栅极连接到字线。

6.根据权利要求5所述的存储单元,所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个连接到选择线,并且所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个表示所述选择器元件的所述第一端子并连接到位线。

7.根据权利要求5所述的存储单元,所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个连接到位线,并且所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个表示所述选择器元件的所述第一端子并连接到所述位线。

8.根据权利要求5所述的存储单元,所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个连接到位线,并且所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个表示所述选择器元件的所述第一端子并连接到所述板线。

9.根据权利要求7所述的存储单元,所述层堆叠包括多个层堆叠,并且所述板线包括多个板线,每个层堆叠的第一电极连接到所述节点,并且每个层堆叠的第二电极连接到所述多个板线中的不同的一个板线。

10.根据权利要求3所述的存储单元,所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个连接到选择线,所述选择器元件包括具有电阻的二端元件,所述选择器元件的所述第一端子连接到位线。

11.根据权利要求10所述的存储单元,所述选择器元件包括电阻器。

12.根据权利要求10所述的存储单元,所述选择器元件包括具有非线性电阻的非线性元件。

13.根据权利要求12所述的存储单元,所述选择器元件包括二极管、阈值开关和场辅助开关中的一个。

14.根据权利要求1所述的存储单元,其中:

所述层堆叠的所述第一电极连接到参考电压;

所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的一个连接到选择线,并且所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个连接到位线;并且

所述选择器元件包括具有源极、漏极和栅极的第二晶体管,其中,所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的一个表示所述选择器元件的所述第二端子并连接到所述节点,所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个表示所述选择器元件的所述第一端子并连接到所述位线,并且所述栅极连接到字线。

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