[发明专利]电池边缘钝化方法有效
申请号: | 202010382294.4 | 申请日: | 2020-05-08 |
公开(公告)号: | CN111509090B | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
发明(设计)人: | 黄海冰;吴智涵;绪欣;曹育红;沈梦超;张胜军;张梦葛 | 申请(专利权)人: | 常州时创能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 213300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电池 边缘 钝化 方法 | ||
1.一种电池边缘钝化方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一种晶体硅电池,所述晶体硅电池至少具有一条需要钝化的边,且所述需要钝化的边具有裸露的硅表面;
将所述晶体硅电池中需要钝化的一条边与含有氧化剂的化学溶液接触,并采用紫外光照射于所述边与化学溶液的接触面,以在光照催化氧化条件下,在所述边上形成一层氧化硅钝化膜;所述氧化剂为双氧水或臭氧;具体的,通过机械手的作用,使所述晶体硅电池的正背面垂直于所述溶液表面,工作时,其中一条边与所述溶液表面接触,紫外光正好照射于所述边与溶液的接触面,光催化氧化完成后,机械手将所述晶体硅电池垂直抬离至距液面固定高度并停留一定时间,待接触溶液的边干燥后,旋转晶体硅电池使相邻边与所述溶液接触,重复上述步骤直至晶体硅电池所有需要钝化的边均完成钝化;
所述晶体硅电池上所有需要钝化的边上均形成氧化硅钝化膜后,对所述晶体硅电池进行热处理;
至此完成对所述晶体硅电池的边缘钝化。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述氧化剂为双氧水时:所述化学溶液包含双氧水10-30wt%、盐酸5-15wt%和纯水,所述化学溶液的温度为10-50℃。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述化学溶液的温度为15-25℃。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述氧化剂为双氧水时,通过紫外灯产生波长范围在200-300nm的紫外光。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述氧化剂为臭氧时:所述化学溶液为浓度为0.19g/L-0.78g/L的臭氧溶液,溶液温度为10-50℃。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述化学溶液的温度为20-30℃。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述氧化剂为臭氧时,通过185nm和254nm双光谱紫外灯产生波长为185nm或254nm的紫外光。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述热处理的温度为100-200℃,热处理的时间为1-30min。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述热处理的温度范围为130-170℃,热处理时间为5-10min。
10.如权利要求1所述的方法,其特征在于,采用快速热处理炉对完成光照催化氧化的晶体硅电池进行热处理,所述热处理的气氛为氮气。
11.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述氧化硅钝化膜的厚度为5-50nm。
12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,所述氧化硅钝化膜的厚度为10-30nm。
13.如权利要求1至12任意一项所述的方法,其特征在于,应用于切割电池的边缘钝化;或者应用于晶体硅太阳能电池制备工艺中的硅衬底发射结制作完成之后,正面减反射膜、背面钝化膜制备之前。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的