[发明专利]一种基于PMOS的低功耗冗余均流电路

权利要求书

1.一种基于PMOS的低功耗冗余均流电路，包括Vin1和Vin2，其特征在于：所述Vin1的正端分别连接第一均流MOS(1)的漏极、第一稳压二极管(2)的阴极和第一驱动光耦(8)副边的集电极，所述Vin2的正端分别连接第二均流MOS(3)的漏极、第二稳压二极管(4)的阴极和第二驱动光耦(9)的副边集电极，所述第一均流MOS(1)的门极分别与第一稳压二极管(2)的阳极、第一驱动光耦(8)副边的发射极和第二驱动电阻(6)的上端连接，所述第二均流MOS(3)的门极分别与第二稳压二极管(4)的阳极、第二驱动光耦(9)的副边发射极和第一驱动电阻(5)的上端连接，所述第一驱动电阻(5)的下端和第二驱动电阻(6)的下端连接有公共地电位，所述第一均流MOS(1)的源极和第二均流MOS(3)的源极连接后，再连接到负载(21)和开关电源(7)的正端，所述负载(21)和开关电源(7)的负端与公共地电位连接，所述公共地电位经第一电流采样电阻(19)与Vin1的负端连接，所述公共地电位经第二电流采样电阻(20)与Vin2的负端连接，所述Vin1的负端经同相输入电阻(18)连接到运算放大器(16)的同相输入端，所述Vin2的负端经反相输入电阻(17)连接到运算放大器(16)的反相输入端，第二反馈电容(14)和反馈电阻(15)串联后，再与第一反馈电容(13)并联连接到运算放大器(16)的反相输入端和输出端，所述运算放大器(16)的输出端连接到第一反并二极管(10)的阳极和第一驱动光耦(8)的原边阴极，所述第一反并二极管(10)的阴极分别连接到第一驱动光耦(8)的原边阳极、第二驱动光耦(9)的原边阳极和第二反并二极管(11)的阴极，所述第二驱动光耦(9)的原边阴极连接到第二反并二极管(11)的阳极、限流电阻(12)的上端，所述限流电阻(12)的下端连接到公共地电位，所述第一电流采样电阻(19)和负载(21)之间设有左电线(22)和右电线(23)，所述左电线(22)和右电线(23)外端设有外包环(24)，所述左电线(22)和右电线(23)外端均固定连接有与外包环(24)内壁相抵的内接触环(25)，两个所述内接触环(25)相互靠近的一端固定连接有与动态绝缘环(26)相抵的柱形气囊(2501)，所述外包环(24)内壁固定连接有动态绝缘环(26)，所述动态绝缘环(26)内开凿有第一空腔(27)和第二空腔(28)，所述动态绝缘环(26)内设有第一推板(29)，所述第一空腔(27)和第二空腔(28)之间安装有运动型喷嘴(30)，所述第二空腔(28)内设有第二推板(31)，所述动态绝缘环(26)内壁固定连接有海绵半环(32)，所述动态绝缘环(26)内壁开凿有位与海绵半环(32)上侧的释放孔(33)，所述动态绝缘环(26)内设有垫片(34)，所述垫片(34)外端开凿有多个均匀分布的接触端孔(35)，所述接触端孔(35)内壁固定连接有多个均匀分布的毛细纤维刺(36)，所述左电线(22)和右电线(23)相互靠近的一端均固定连接有多个均匀分部的接触端头(37)。

2.根据权利要求1所述的一种基于PMOS的低功耗冗余均流电路，其特征在于：所述第一空腔(27)内填充有碳酸氢铵粉末和二氧化碳气体，所述碳酸氢铵粉末位于第一推板(29)上侧，所述二氧化碳气体位于第一推板(29)下侧，所述第二空腔(28)内填充有绝缘液体。

3.根据权利要求1所述的一种基于PMOS的低功耗冗余均流电路，其特征在于：所述外包环(24)内壁螺纹连接有一对螺纹环(2401)，所述螺纹环(2401)内壁固定连接有与左电线(22)或右电线(23)相接触的密封圈(2403)。

4.根据权利要求3所述的一种基于PMOS的低功耗冗余均流电路，其特征在于：两个所述外包环(24)相互靠近的一端均开凿有一对限位卡槽(2402)，所述内接触环(25)靠近外包环(24)的一端均固定连接有与限位卡槽(2402)相匹配的限位卡块(2502)。

5.根据权利要求1所述的一种基于PMOS的低功耗冗余均流电路，其特征在于：所述第一推板(29)与第一空腔(27)内壁之间固定连接有连接绳(2901)，所述连接绳(2901)外端设有多个均匀分布的环形框(2902)，所述环形框(2902)内壁固定连接有与连接绳(2901)固定连接的筛分网(2903)。