[发明专利]一种基于氧化镓的集成器件

权利要求书

1.一种基于氧化镓的集成器件，包括并列设置的压电谐振器区和晶体管区；其特征在于，所述的晶体管区和压电谐振器区分设在同一氧化镓层(103)的两侧，所述氧化镓层(103)在压电谐振器区设有电极对，所述电极对与氧化镓层(103)电性连接，电极对中的任一电极与晶体管区中的源极(110)电性连接。

2.根据权利要求1所述基于氧化镓的集成器件，其特征在于，所述的氧化镓层(103)厚度为0.1um至20um。

3.根据权利要求1所述基于氧化镓的集成器件，其特征在于，所述氧化镓层(103)由单晶ε相氧化镓组成。

4.根据权利要求1所述基于氧化镓的集成器件，其特征在于，所述的电极对包括第一电极(106)和第二电极(107)，所述的第一电极(106)设置在氧化镓层(103)上表面，所述的第二电极(107)设置在氧化镓层(103)下表面；所述的晶体管区在源极(110)下方设有贯通至器件底部的通孔；所述的第二电极(107)至少一端穿过所述通孔与所述源极(110)电性连接。

5.根据权利要求1所述基于氧化镓的集成器件，其特征在于，所述的电极对包括互为叉指电极的第一电极(106)和第二电极(107)，所述的第一电极(106)和第二电极(107)均设置在氧化镓层(103)上表面，所述的第二电极(107)至少一端延伸进晶体管区并与源极(110)电性连接。

6.根据权利要求1-5任一所述基于氧化镓的集成器件，其特征在于，从下而上依次层叠设置衬底(101)、缓冲层(102)、氧化镓层(103)；所述的缓冲层(102)和衬底(101)在压电谐振器区设有空腔，氧化镓层(103)在所述空腔对应位置设置电极对；所述氧化镓层(103)上表面在晶体管区还层叠设有沟道层(104)，在沟道层(104)上表面靠近压电谐振器区的一端设有源极(110)，另一端设有漏极(109)，在源极(110)和漏极(109)之间设有栅极(108)。

7.根据权利要求6所述基于氧化镓的集成器件，其特征在于，所述的栅极(108)与源极(110)的距离小于与漏极(109)的距离。

8.根据权利要求6所述基于氧化镓的集成器件，其特征在于，所述的沟道层(104)上表面在源极(110)、栅极(108)、漏极(109)之下还设有势垒层(105)。

9.根据权利要求6所述基于氧化镓的集成器件，其特征在于，所述的栅极(108)为T型结构。