[发明专利]半导体加工方法在审
| 申请号： | 202010382910.6 | 申请日： | 2020-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN112447540A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 何韦德;吴汉威;唐沛陞;李孟融;林华泰;童思频;姜兰欣 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 加工 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体加工的方法，其特征在于，包括以下步骤：
沉积一薄膜于一基板的一表面上；
于该基板的该表面上的多个量测位置处在该薄膜沉积之后量测该基板的一翘曲；
在该基板的该表面上的多个量测位置处判定该基板的归因于该薄膜沉积的一翘曲；
依据该基板的该表面上的该多个量测位置的座标使该基板上归因于该薄膜沉积所判定的翘曲量测值适配至一低阶多项式；
针对一量测位置的至少一个座标评估该低阶多项式；以及
在该薄膜沉积于该量测位置之后，自该基板的该翘曲量测值减去针对该所量测位置的该至少一个座标上经评估的该低阶多项式。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
