[发明专利]掩膜板有效
申请号: | 202010383667.X | 申请日: | 2020-05-08 |
公开(公告)号: | CN111443566B | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 邹佳滨;尹晓峰;田春光;文娜 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/38 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜板 | ||
1.一种掩膜板,其特征在于,包括沿第一方向设置的第一图形区域、第二图形区域和第三图形区域;所述第一图形区域包括沿第一方向依次相邻设置的第一拼接曝光区域、第一独立曝光区域、第四拼接曝光区域;所述第二图形区域包括沿所述第一方向相邻设置的第二独立曝光区域和第二拼接曝光区域;所述第三图形区域包括沿所述第一方向相邻设置的第三独立曝光区域和第三拼接曝光区域;
所述第一拼接曝光区域沿第一向量平移后能够形成第一拼接辅助区域,所述第一拼接辅助区域与所述第二拼接曝光区域重合;所述第一独立曝光区域沿所述第一向量平移后能够形成第一独立辅助区域,所述第一独立辅助区域和所述第二独立曝光区域分别位于所述第二拼接曝光区域的两侧;
所述第四拼接曝光区域沿第二向量平移后能够形成第二拼接辅助区域,所述第二拼接辅助区域与所述第三拼接曝光区域重合;所述第一独立曝光区域沿所述第二向量平移后能够形成第二独立辅助区域,所述第二独立辅助区域和所述第三独立曝光区域分别位于所述第三拼接曝光区域的两侧;
所述掩膜板包括沿第二方向排列的多个遮光条,所述第二方向与所述第一方向垂直;任意一个所述遮光条包括对应设置的第一拼接遮光条、第二拼接遮光条、第三拼接遮光条、第四拼接遮光条、第一独立遮光条、第二独立遮光条和第三独立遮光条;所述第一拼接遮光条设于所述第一拼接曝光区域,并在所述第一方向上贯穿所述第一拼接曝光区域;所述第二拼接遮光条设于所述第二拼接曝光区域,并在所述第一方向上贯穿所述第二拼接曝光区域;所述第三拼接遮光条设于所述第三拼接曝光区域,并在所述第一方向上贯穿所述第三拼接曝光区域;所述第四拼接遮光条设于所述第四拼接曝光区域,并在所述第一方向上贯穿所述第四拼接曝光区域;所述第一独立遮光条设于所述第一独立曝光区域,并在所述第一方向上贯穿所述第一独立曝光区域,且两端分别与对应的所述第一拼接遮光条和所述第四拼接遮光条连接;所述第二独立遮光条设于所述第二独立曝光区域,并在所述第一方向上贯穿所述第二独立曝光区域,且与对应的所述第二拼接遮光条连接;所述第三独立遮光条设于所述第三独立曝光区域,并在所述第一方向上贯穿所述第三独立曝光区域,且与对应的所述第三拼接遮光条连接;
所述第一独立遮光条、所述第二独立遮光条和所述第三独立遮光条的宽度均等于目标宽度;所述第一拼接遮光条和对应的所述第二拼接遮光条中,一个的宽度等于所述目标宽度,另一个的宽度等于第一辅助宽度;所述第一辅助宽度大于所述目标宽度;所述第一拼接遮光条的图案沿所述第一向量平移后能够形成第一辅助拼接图案;所述第一辅助拼接图案位于对应的所述第二拼接遮光条内,或者所述第一辅助拼接图案覆盖对应的所述第二拼接遮光条;
所述第四拼接遮光条和对应的所述第三拼接遮光条中,一个的宽度等于所述目标宽度,另一个的宽度等于第二辅助宽度,所述第二辅助宽度大于所述目标宽度;所述第四拼接遮光条的图案沿所述第二向量平移后能够形成第二辅助拼接图案;所述第二辅助拼接图案位于对应的所述第三拼接遮光条内,或者所述第二辅助拼接图案覆盖对应的所述第三拼接遮光条;
多个所述遮光条组成多个遮光条组,任意一个所述遮光条组包括相邻设置的前一所述遮光条和后一所述遮光条;在任意一个所述遮光条组中:
前一所述遮光条的所述第二独立遮光条靠近所述第二拼接曝光区域的一端向远离后一所述遮光条的方向弯折,前一所述遮光条的所述第三独立遮光条靠近所述第三拼接曝光区域的一端向远离后一所述遮光条的方向弯折,后一所述遮光条的所述第二独立遮光条靠近所述第二拼接曝光区域的一端向远离前一所述遮光条的方向弯折,后一所述遮光条的所述第三独立遮光条靠近所述第三拼接曝光区域的一端向远离前一所述遮光条的方向弯折;
沿远离所述第一独立曝光区域的方向,前一所述遮光条的所述第一拼接遮光条向远离后一所述遮光条的方向延伸,后一所述遮光条的所述第一拼接遮光条向远离前一所述遮光条的方向延伸,前一所述遮光条的所述第四拼接遮光条向远离后一所述遮光条的方向延伸,后一所述遮光条的所述第四拼接遮光条向远离前一所述遮光条的方向延伸;
沿远离所述第二独立曝光区域的方向,前一所述遮光条的所述第二拼接遮光条向靠近后一所述遮光条的方向延伸,后一所述遮光条的所述第二拼接遮光条向靠近前一所述遮光条的方向延伸;
沿远离所述第三独立曝光区域的方向,前一所述遮光条的所述第三拼接遮光条向靠近后一所述遮光条的方向延伸,后一所述遮光条的所述第三拼接遮光条向靠近前一所述遮光条的方向延伸。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备