[发明专利]一种将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法在审
申请号: | 202010384034.0 | 申请日: | 2020-05-08 |
公开(公告)号: | CN111613522A | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | 甘雪涛;毛博 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;C23C16/30 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 王鲜凯 |
地址: | 710072 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 过渡 金属 化合物 光子 器件 集成 方法 | ||
1.一种将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法,其特征在于利用化学气相沉积法在微纳光子器件上直接生长过渡金属硫族化合物,步骤如下:
步骤1:将过渡金属前驱物放置在石英舟内;
步骤2:将硅或氮化硅基底的微纳光子器件放置在石英舟上,作为生长衬底;
步骤3:将硫族元素前驱物置于管式炉石英管内;
步骤4、利用化学气相沉积法在微纳光子器件上直接生长过渡金属硫族化合物:在管式炉石英管中持续通入氢氩混合气体,依气流方向将石英舟放入高温管式炉的石英管内;
调整温度从室温上升到825℃,保温5分钟,随后自然降至室温,得到过渡金属硫族化合物与微纳光子器件的集成器件。
2.根据权利要求1所述将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法,其特征在于:在石英管内,石英舟气体的进入方向设有另一个石英舟,石英舟内放置卤族元素前驱物。
3.根据权利要求1或2所述将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法,其特征在于:所述从室温上升到825℃的升温速率为30℃-50℃/min。
4.根据权利要求1或2所述将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法,其特征在于:所述管式炉石英管中持续通入100-200sccm的氢氩混合气体。
5.根据权利要求1或2或3所述将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法,其特征在于:所述氩气与氢气体积比为4︰1。
6.根据权利要求1所述将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法,其特征在于:所述过渡金属元素前驱物包括但不限于:过渡金属氧化物或氯化物WCl6,或是与熔融盐混合物。
7.根据权利要求1所述将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法,其特征在于:所述硫族元素前驱物包括但不限于:硫族元素单质中的一种或是两种混合物。
8.根据权利要求6所述将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法,其特征在于:所述过渡金属氧化物包括但不限于:WO3或MoO3。
9.根据权利要求6所述将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法,其特征在于:所述熔融盐包括但不限于:NaCl、KCl、KI的混合物。
10.根据权利要求7所述将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法,其特征在于:所述硫族元素单质包括但不限于:S、Se、Te中的一种或是两种混合。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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