[发明专利]发光二极管封装结构

权利要求书

1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，包括：

基板；

至少一个发光二极管，设置于所述基板上；

侧墙，设置于所述基板上，且围绕至少一所述发光二极管；

盖板，包括相对的第一表面以及第二表面，并以所述第二表面设置于所述侧墙上，且所述盖板、所述侧墙及所述基板包围形成容置至少一个所述发光二极管的封闭空间；

第一抗反射涂层，设置于所述盖板的所述第一表面；以及

保护层，设置于所述第一抗反射涂层上。

2.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述侧墙与所述基板和/或所述盖板的连接处设置有至少一个粘着层，且至少一个所述粘着层被所述保护层所遮蔽。

3.根据权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述侧墙与所述盖板为一体成型，所述侧墙与所述基板的连接处设置有第一粘着层，且所述第一粘着层被所述保护层所遮蔽。

4.根据权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述侧墙与所述基板为一体成型，所述侧墙与所述盖板的连接处设置有第二粘着层，且所述第二粘着层被所述保护层所遮蔽。

5.根据权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述侧墙与所述盖板连接处设置有第一粘着层，以及所述侧墙与所述基板的连接处设置有第二粘着层，且所述第一粘着层与所述第二粘着层被所述保护层所遮蔽。

6.根据权利要求2中所述的发光二极管封装结构，其特征在于，进一步包括一阻挡结构，所述阻挡结构设置于所述基板上，以提供所述侧墙与至少一个所述发光二极管之间的预定设置距离。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构还包括第二抗反射涂层，所述第二抗反射涂层设置于所述盖板的所述第二表面。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述保护层的厚度是介于30nm至120nm，且符合以下关系式：

保护层的厚度(T)＝发光二极管的发光波长(λ)/4。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述保护层是选自波长265nm至285nm的穿透率大于90％的氟系聚合物、氟化镁或二氧化硅。

10.根据权利要求1至6中任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一抗反射涂层的厚度是介于30nm至120nm之间，且材料可以是选自二氧化硅搭配氧化物。