[发明专利]一种自发电显示屏幕及显示设备在审
申请号: | 202010384561.1 | 申请日: | 2020-05-08 |
公开(公告)号: | CN111524955A | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 穆欣炬;曹聪聪;郝力强 | 申请(专利权)人: | 义乌清越光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H02S40/30;H02J7/35 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 李亚南 |
地址: | 322000 浙江省金华市义乌市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发电 显示 屏幕 设备 | ||
本发明提供的自发电显示屏幕和显示设备,太阳电池吸收外界光能,其产生的电能经由转换电路转换为有机发光二极管所需的电压电流标准,从而为有机发光二极管供电;同时由于太阳电池中光吸收层为超窄带隙半导体材料,主要吸收近红外光,有机发光二极管发出的可见光可近乎无损耗地通过太阳电池单元,从而不会影响显示屏幕的显示效果;同时太阳电池不会受到有机发光二极管的遮挡,避免了对太阳电池的产电效果产生影响;即在太阳电池为有机发光二极管提供电能增大其续航能力的同时,太阳电池与有机发光二极管可以独立工作,且其工作效果不受彼此制约。
技术领域
本发明涉及显示装置技术领域,具体涉及一种自发电显示屏幕及显示设备。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Display,有机发光显示器)被称之为第三代显示技术。OLED主要是通过电场驱动,有机半导体材料和发光材料通过过载流子注入和复合后实现发光。OLED不仅更轻薄,还具有能耗低、亮度高、发光率好的优点,因此可用于移动设备、可穿戴设备、高端仪器等。当今国际各大厂商都争相恐后的加强了对OLED技术的研发投入,使得OLED技术在当今电视、电脑、手机、平板等领域应用愈加广泛。然而OLED显示装置的续航能力有限,因此需要配套的充电设备,从而增大了其体积和重量,限制了OLED显示装置的适用范围。
目前,一些研究人员通过在显示屏幕上集成太阳电池,显示屏幕播放画面的同时吸收太阳光或者环境光以对设备进行充电,从而增加续航时间。目前集成太阳能充电功能的显示屏幕通常采用以下方法:将太阳电池单元放置于显示单元的后方,此结构中显示单元向前发出的光并没有经过太阳电池单元,故显示亮度、可视角等参数不会受到影响。然而,此结构要求整个结构都具有比较高的透明度,太阳电池单元的光利用率很大程度上受到显示单元中透明电极的透过率以及TFT电路的遮挡所制约,降低了显示光的利用率。
中国专利CN105070218A公开了一种太阳能显示屏,其在OLED显示模块上形成透明太阳能薄膜,入射光线透过盖板照射到透明太阳能薄膜,有机发光层发出的光线依次透过透明太阳能薄膜和盖板射出,虽然透明太阳能薄膜不会受到显示单元中透明电极的透过率以及TFT电路的遮挡所制约,但容易吸收OLED显示模块所发出的光线,影响显示装置的显示效果。
发明内容
因此,本发明要解决的技术问题在于克服现有显示屏幕中的太阳电池影响显示屏的显示效果的缺陷,从而提供一种自发电显示屏幕。
为此,本发明提供一种自发电显示屏幕,其包括有机发光二极管及层叠设置于其出光面上的太阳电池,以及还包括连接两者的转换电路,其中,所述太阳电池中光吸收层的带隙值为为超窄带隙半导体材料,其光学带隙≤1.1eV。
进一步地,所述光吸收层的材质为金属纳米粒子、过渡金属二维半导体材料、卟啉及其衍生物、酞菁及其衍生物、氟取代的有机稠环化合物、杂原子取代的有机共轭聚合物或由有机配体和金属离子或团簇组成的金属有机框架。
进一步地,所述有机发光二极管包括相对设置的第一电极层和第二电极层,所述第一电极层靠近所述太阳电池设置,其中,所述第一电极层的透光率为85-95%,所述第二电极层的透光率为1-5%。
进一步地,所述太阳电池包括层叠设置的第三电极层、第一传输层、所述光吸收层、第二传输层、第四电极层,其中,所述第三电极层的透光率为85-95%,所述第四电极层的透光率为70-90%。
进一步地,所述第一传输层的透光率为90%-95%,所述第二传输层的透光率为90%-95%。
进一步地,所述自发电显示屏幕还包括基板,所述基板的一侧设置有所述有机发光二极管的第一电极层,相对侧设置有所述太阳电池的第三电极层。
进一步地,所述太阳电池包括与所述第三电极层、第四电极层连接的第一输出端,所述第一输出端与所述转换电路的一端连接;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的