[发明专利]基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的多电平移位电路

权利要求书

1.基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的多电平移位电路，探测器单元包括MOS-C部分和MOSFET部分；所述复合介质栅双晶体管光敏探测器MOS-C部分包括在P型半导体衬底上方依次叠设的第一层介质层、电荷耦合层、第一顶层介质层和第一控制栅极；所述复合介质栅双晶体管光敏探测器MOSFET部分包括N型源极区、N型漏极区以及在所述P型半导体衬底上方依次叠设的第二层介质层、所述电荷耦合层、第二顶层介质层和第二控制栅极；复合介质栅双晶体管光敏探测器单元放置于N型阱中；其特征在于，所述复合介质栅双晶体管光敏探测器的N型源极区、N型漏极区、第二控制栅极、P型半导体衬底和N型阱这五个端口分别连接一个多电平移位电路，所述多电平移位电路包括预移位电路和移位电路，预移位电路与移位电路相连，所述移位电路的输出端与探测器单元的端口连接；所述预移位电路包括两个模拟输入信号、一个数字输入信号和一个模拟输出信号，其中，两个模拟输入信号分别为预移位正电压信号V_VPP和预移位负电压信号V_VPN，一个数字输入信号为预移位控制信号V_IN，一个模拟输出信号为预移位电压输出信号V_PSO；所述移位电路包括三个模拟输入信号和一个模拟输出信号，其中，三个模拟输入信号分别为移位正电压信号V_PHV、移位负电压信号V_NHV和预移位电路的预移位电压输出信号V_PSO，一个模拟输出信号为移位电压输出信号V_SO。

2.根据权利要求1所述的基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的多电平移位电路，其特征在于，所述多电平移位电路还包括驱动电路，驱动电路分别与预移位电路和移位电路相连；所述驱动电路包括三个模拟输入信号和一个模拟输出信号，其中，三个模拟输入信号分别为驱动正电压信号V_VPP、驱动负电压信号V_VPN和预移位电路的预移位电压输出信号V_PSO，一个模拟输出信号为驱动电压输出信号V_DO；所述移位电路包括三个模拟输入信号和一个模拟输出信号，其中，三个模拟输入信号分别为移位正电压信号V_PHV、移位负电压信号V_NHV和驱动电路的驱动电压输出信号V_DO，一个模拟输出信号为移位电压输出信号V_SO。

3.根据权利要求2所述的基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的多电平移位电路，其特征在于，所述多电平移位电路还包括信号补偿电路，信号补偿电路与移位电路相连，所述信号补偿电路的输出端与探测器单元的端口连接；所述信号补偿电路包括一个模拟输入信号和一个模拟输出信号，其中，一个模拟输入信号为移位电路的移位电压输出信号V_SO，一个模拟输出信号为信号补偿电压输出信号V_O。