[发明专利]一种制作静电放电保护器件的方法及静电放电保护器件

权利要求书

1.一种制作静电放电保护器件的方法，其特征在于，包括：

在半导体衬底的正面外延生长半导体外延层；

在半导体外延层内通过预设工艺流程同时形成第一阱区以及第二阱区，并对第一阱区和第二阱区进行高温退火；

在第一阱区内通过预设工艺流程形成第一掺杂区，以及，在第三阱区内通过预设工艺流程形成第二掺杂区，并对第一掺杂区与第二掺杂区进行高温退火；

在退火后的第一掺杂区与第二掺杂区的表面形成的层间介质层上，通过预设工艺流程形成掺杂区接触孔；

在掺杂区接触孔溅射金属，以在掺杂区接触孔上方分别形成第一电极以及第二电极；

通过塑封芯片级封装工艺，在第一电极上方形成第一金属柱，在第二电极上方形成第二金属柱，以及，在第一金属柱上方形成第一金属凸点，在第二金属柱上方形成第二金属凸点；

减薄半导体衬底的背面、塑封形成六面包封。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底、半导体外延层、第一阱区、第二阱区的掺杂类型均为第一掺杂类型，第一掺杂区和第二掺杂区的掺杂类型为与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型，第一掺杂类型为N型，第二掺杂类型为P型；或，所述第一掺杂类型为P型，第二掺杂类型为N型。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一阱区的掺杂浓度与第二阱区的掺杂浓度相同，第一掺杂区的掺杂浓度与第二掺杂区的掺杂浓度相同，第一掺杂区的掺杂浓度大于第一阱区的掺杂浓度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一掺杂区构成开基区NPN双极晶体管的发射区，第一阱区、半导体外延层、第二阱区构成开基区NPN双极晶体管的基区，第二掺杂区构成开基区NPN双极晶体管的集电区；或者，第二掺杂区构成开基区NPN双极晶体管的发射区，第一阱区、半导体外延层、第二阱区构成开基区NPN双极晶体管的基区，第一掺杂区构成开基区NPN双极晶体管的集电区，通过六面塑封体对开基区NPN双极晶体管进行塑封后，得到所述静电放电保护器件。

5.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底为重掺杂，半导体外延层为轻掺杂，第一阱区为轻掺杂，第一掺杂区为重掺杂。

6.一种静电放电保护器件，其特征在于，包括：半导体衬底、半导体外延层、第一阱区、第二阱区、第一掺杂区、第二掺杂区、第一电极、第二电极、第一金属柱、第二金属柱、第一金属凸点，第二金属凸点和六面塑封体，其中，

半导体外延层位于半导体衬底上方；

第一阱区与相间设置的第二阱区位于半导体外延层中；

第一掺杂区位于第一阱区中，第二掺杂区位于第二阱区中；

第一电极位于第一掺杂区接触孔的上方，第二电极位于第二掺杂区接触孔的上方，第一掺杂区接触孔与第二掺杂区接触孔为在退火后的第一掺杂区与第二掺杂区的表面形成的层间介质层上，通过预设工艺流程分别形成的；

第一金属柱位于第一电极上方，第二金属柱位于第二电极上方；

第一金属凸点位于第一金属柱上，第二金属凸点位于第二金属柱上；

六面塑封体用于对第一金属凸点、第二金属凸点、半导体衬底、半导体外延层进行六面塑封。

7.根据权利要求6所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述第一阱区中的第一掺杂区与第二阱区中的第二掺杂区采用叉指结构设计。

8.根据权利要求6或7所述的静电放电保护器件，其特征在于，还包括：第三阱区以及第四阱区，其中，

第三阱区位于第一掺杂区下方，第四阱区位于第二掺杂区下方，第三阱区的掺杂浓度小于第一掺杂区的掺杂浓度，第四阱区的掺杂浓度小于第二掺杂区的掺杂浓度。