[发明专利]一种基于通道分离的大面阵彩色CMOS图像传感器辐照后暗电流评估方法有效

专利信息
申请号: 202010385562.8 申请日: 2020-05-09
公开(公告)号: CN111541853B 公开(公告)日: 2022-03-25
发明(设计)人: 冯婕;李豫东;文林;周东;郭旗 申请(专利权)人: 中国科学院新疆理化技术研究所
主分类号: H04N5/361 分类号: H04N5/361;H04N5/374;H04N17/00
代理公司: 乌鲁木齐中科新兴专利事务所(普通合伙) 65106 代理人: 张莉
地址: 830011 新疆维吾尔*** 国省代码: 新疆;65
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 通道 分离 大面 彩色 cmos 图像传感器 辐照 电流 评估 方法
【权利要求书】:

1.一种基于通道分离的大面阵彩色CMOS图像传感器辐照后暗电流评估方法,其特征在于,该方法涉及装置是由静电试验平台、三维样品调整台、样品测试板、大面阵彩色CMOS图像传感器样品、直流电源和计算机组成,在静电试验平台(1)上设有三维样品调整台(2),在三维样品调整台(2)上固定有样品测试板(3),在样品测试板(3)上放置大面阵彩色CMOS图像传感器样品(4),样品测试板(3)与直流电源(5)连接,静电试验平台(1)与计算机(6)连接,具体操作按下列步骤进行:

a、暗场条件下,选定积分时间,利用经过辐照后的图像传感器获取10帧暗场图像RAW格式并保存;

b、将步骤a中采集的RAW格式原始图像每个像素的16位2进制数据读出;

c、将步骤b读出的每个像素的16位2进制数据转换为10进制数据,10进制数据即为该像素的灰度值;

d、将四组为循环单元的横坐标2m,纵坐标2n;横坐标2m+1,纵坐标2n;横坐标2m,纵坐标2n+1;横坐标2m+1,纵坐标2n+1的像素单元的灰度值分别依次读入R、GB、GR或B通道的灰度值矩阵中,其中m=0,1,2…M,n=0,1,2…N ,M为大面阵彩色CMOS图像传感器像素阵列的宽度,N为大面阵彩色CMOS图像传感器像素阵列的高度;

e、分别计算R、GB、GR或B通道所有像素的平均灰度值;

f、改变积分时间,重复步骤a-步骤e,得到不同积分时间下R、GB、GR或B通道所有像素的平均灰度值;

g、画出暗场下R通道所有像素的平均灰度值随积分时间变化的曲线,该曲线拟合直线的斜率除以图像传感器的转换增益即为R通道的暗电流;

h、重复步骤g,分别得到GB、GR或B通道的暗电流。

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