[发明专利]一种参数可调的混态制备方法

权利要求书

1.一种参数可调的混态制备方法，其特征在于：所述方法包括纠缠光源的制备部分、权值可调的分路部分和各路的消相干通道部分，所述纠缠光源的制备部分通过使用激光泵浦非线性晶体产生自发参量下转换过程制备纠缠光子对；权值可调的分路部分通过使用BD晶体网络来实现各路权值可控，BD晶体将非偏振光束分成两个平行的正交偏振光束；各路的消相干通道部分通过可控的消相干通道对纠缠光子对中的一路引入完全混态，所述方法使用BBO晶体自发参量下转换产生双光子纠缠光源。

2.如权利要求1所述的一种参数可调的混态制备方法，其特征在于：所述权值可调的分路部分由BD干涉环组成，BD干涉环由三片BD晶体和六片半波片组成，其中使用的第二片与第三片BD晶体形状规格与第一片BD晶体不同，在第一片BD与第二片BD晶体中，放置三片半波片；在第二片BD与第三片BD晶体中，放置两片半波片；在第三片BD晶体中，放置一片半波片。

3.如权利要求1所述的一种参数可调的混态制备方法，其特征在于：所述消相干通道由完全消相干部分，Z基态坍缩部分，X基态坍缩部分构成，完全消相干通道使用两片半波片，一片Ι型BBO晶体，一片LiNbO₃晶体，一片偏振片晶体构成；最后使用一片BS晶体实现各路态的叠加实现混态的制备。

4.如权利要求2所述的一种参数可调的混态制备方法，其特征在于：所述第一块半波片相对于快轴旋转0°，第二块半波片旋转45°，第三块半波片旋转任意角度来实现参数可调，第四块，第五块与第六块半波片均旋转45°夹角。

5.如权利要求3所述的一种参数可调的混态制备方法，其特征在于：所述Ι型BBO晶体与LiNbO₃晶体应满足非线性晶体空间补偿光程差大于使用激光的相干长度。

6.如权利要求3所述的一种参数可调的混态制备方法，其特征在于：所述Z基态坍缩部分为量子算符中的泡利算符σ_z，X基态坍缩部分为泡利算符σ_x，Z基态坍缩部分和X基态坍缩部分均使用一块四分之一波片，一块半波片以及一块PBS晶体组成。

7.如权利要求2所述的一种参数可调的混态制备方法，其特征在于：所述BD干涉环中的半波片均为真零级半波片。