[发明专利]高效P型晶体硅太阳能电池及其制备方法

说明书

本发明提供了一种高效P型晶体硅太阳能电池及其制备方法，属于半导体技术领域。它包括硅片，在硅片的正面依次沉积有掺磷N型扩散层、二氧化硅薄膜、掺杂型多晶硅薄膜、透明导电薄膜和减反膜，在硅片的背面沉积有钝化膜。本发明解决了电池正面的发射极及金属接触区的复合电流密度偏高，同时减弱多晶硅薄膜正面吸光性问题，提供了一种兼顾吸光性及钝化性能的高效P型电池及其制备方法。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，涉及一种高效P型晶体硅太阳能电池及其制备方法。

背景技术

近年来，光伏产业化技术发展迅速，各个制造环节均有技术更新。新技术、新工艺带来的是更低的成本及更优的产品性能。最近几年国内晶体硅太阳电池技术的进展仍旧主要集中在PERC电池的产业导入上，虽然P-型PERC电池的产能一直在增长，但是其产业化效率增长或许已接近饱，因此迫切需要开发下一代的PERC电池，希望能在原有产线的基础上，尽量减少工艺改动而实现产品性能及成本的突破。

发明内容

本发明的目的是针对上述问题，提供一种高效P型晶体硅太阳能电池。

本发明的另一目的是提供一种高效P型晶体硅太阳能电池的制备方法。

为达到上述目的，本发明采用了下列技术方案：

一种高效P型晶体硅太阳能电池，包括硅片，在硅片的正面依次沉积有掺磷N型扩散层、二氧化硅薄膜、掺杂型多晶硅薄膜、透明导电薄膜和减反膜，在硅片的背面沉积有钝化膜。

进一步的，掺磷N型扩散层通过单独的磷掺杂工艺、多晶硅薄膜的薄膜掺杂或者退激活工艺得到，二氧化硅薄膜通过热氧化、湿法氧化或者暴露于强氧化性气体中得到，所述的掺杂型多晶硅薄膜为原位掺磷的多晶硅薄膜或本征多晶硅薄膜。

进一步的，所述的透明导电薄膜为含铟、锡、锌、镉、钛的其中一种或多种的金属氧化物和/或氮化物薄膜。

进一步的，所述的减反膜为多层SiNx薄膜、SiOx薄膜或AlOx薄膜，或者为SiNx薄膜、SiOx薄膜和AlOx薄膜两种及以上的组合。

进一步的，所述的钝化膜为叠层SiNx薄膜、叠层SiNx/SiOx薄膜或叠层SiNx/AlOx薄膜，或者为SiNx薄膜、叠层SiNx/SiOx薄膜和叠层SiNx/AlOx薄膜两种及以上的组合。

进一步的，二氧化硅薄膜的厚度为0.3-10nm，掺杂型多晶硅薄膜的厚度为2-300nm，透明导电薄膜的厚度为2-300nm，减反膜的厚度为2-300nm，钝化膜的厚度为10-300nm，掺磷N型扩散层方块电阻为50-500ohm/◇。

一种高效P型晶体硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：

1)硅片经过清洗后，通过管式磷扩散形成掺磷N型扩散层，

2)在掺磷N型扩散层表面生长一层二氧化硅薄膜；

3)在二氧化硅薄膜上上沉积掺杂型多晶硅薄膜；

4)在掺杂型多晶硅薄膜上沉积透明导电薄膜；

5)在透明导电薄膜上沉积减反膜；

6)去掉硅片背面的减反膜、透明导电薄膜和掺杂型多晶硅薄膜；

7)硅片背面进行抛光或制绒处理；

8)在硅片背面沉积钝化膜。

8、根据权利要求7所述的高效P型晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：

9)激光布局开孔；

10)印刷金属浆料、烧结及退火。