[发明专利]有机硅单体生产中含尘废气的拦截工艺及装置

权利要求书

1.一种有机硅单体生产中含尘废气的拦截工艺，其特征在于：包括以下步骤：

(1)将含尘废气经含尘废气管线(1)由溶剂洗涤塔(2)底部通入溶剂洗涤塔(2)内，溶剂回流槽(3)内的溶剂经循环泵(5)打到回流冷凝器(6)，冷凝后进入溶剂洗涤塔(2)顶部，对废气进行洗涤拦截；

(2)洗涤拦截后，溶剂洗涤塔(2)底部的混合物自动溢流到溶剂回流槽(3)中，溶剂回流槽(3)内混合物料部分用于打循环，部分物料进入单体合成系统的后处理装置(4)将液相组分全部回用，排出部分洗涤混合物料后，补加溶剂，保持溶剂回流槽(3)的液位不变；

(3)拦截后的废气自溶剂洗涤塔(2)顶部经过拦截废气冷凝器(7)及除雾器(8)后进入水洗塔(9)，对废气进行最后的净化处理，然后达标放空。

2.根据权利要求1所述的有机硅单体生产中含尘废气的拦截工艺，其特征在于：所述的溶剂为有机硅单体生产过程中产生的副产物。

3.根据权利要求1所述的有机硅单体生产中含尘废气的拦截工艺，其特征在于：步骤(1)中溶剂洗涤塔(2)和溶剂回流槽(3)在投用前打入20-80％液位的溶剂。

4.根据权利要求1所述的有机硅单体生产中含尘废气的拦截工艺，其特征在于：所述的回流冷凝器(6)冷媒采用循环水，温度为5-50℃。

5.根据权利要求1所述的有机硅单体生产中含尘废气的拦截工艺，其特征在于：所述的拦截废气冷凝器(7)冷媒采用乙二醇，温度为-20-5℃。

6.根据权利要求1所述的有机硅单体生产中含尘废气的拦截工艺，其特征在于：步骤(2)中溶剂回流槽(3)内轻组分含量达到35wt％及以上时，将部分物料排出至单体合成系统的后处理装置(4)。

7.根据权利要求1所述的有机硅单体生产中含尘废气的拦截工艺，其特征在于：用于处理有机硅单体合成过程产生的所有废气和含尘废气。

8.一种权利要求1所述的有机硅单体生产中含尘废气的拦截工艺装置，包括含尘废气管线(1)，其特征在于：所述的含尘废气管线(1)与溶剂洗涤塔(2)底部连接，所述溶剂洗涤塔(2)的底部与溶剂回流槽(3)连接，所述溶剂回流槽(3)底部经循环泵(5)与回流冷凝器(6)连接，所述的溶剂回流槽(3)底部与后处理装置(4)连接，所述回流冷凝器(6)与所述溶剂洗涤塔(2)顶部连接，所述溶剂洗涤塔(2)顶部与拦截废气冷凝器(7)连接，所述拦截废气冷凝器(7)依次与除雾器(8)和水洗塔(9)连接。