[发明专利]阵列基板及显示面板

说明书

本申请提出了一种阵列基板及显示面板，所述阵列基板通过将所述第一沟道划分为至少两子沟道，并在每一所述子沟道中设置半导体子层，使得所述第一TFT中子沟道的数量大于所述第二TFT中第二沟道的数量，从而增大了所述第一TFT中沟道宽度的变化量，相比于现有TFT结构，减少了对应在棱镜连接部处由于受到曝光量影响造成的第二TFT与第一TFT之间实际沟道比值的变异量，减少了由于棱镜连接部处曝光量变化对第二TFT与第一TFT分压比的影响，从而降低了棱镜连接部所对应的次像素的亮度变化量，改善了显示面板显示不均的问题。

技术领域

本申请涉及显示领域，特别涉及一种阵列基板及显示面板。

背景技术

随着显示技术的发展，对于显示面板中TFT的结构尺寸的精确性要求越来越高，尤其在具备主像素和次像素的像素结构中，需要通过主TFT控制主像素的亮度、次TFT和分压TFT控制次像素的亮度，而次像素的亮度受到分压TFT与次TFT的分压比的控制，具体分压TFT与次TFT的分压比受到分压TFT中分压沟道的宽度与次TFT中次沟道的宽度的比值控制；

而在次TFT和分压TFT中沟道结构的实际制作过程中，需要依次形成栅极金属层、绝缘层及源漏金属层，采用曝光工艺图案化所述源漏金属层，然后根据图案化的所述源漏金属层，蚀刻形成所述次TFT中的次沟道和分压TFT中的分压沟道，目前，在诸如曝光等工艺中普遍采用多棱镜100组合的Nikon机台来曝光，如图1所示，由于各棱镜100之间重合的连接部与棱镜100本体曝光量存在一定差异，造成棱镜连接部101与棱镜本体102处的曝光量存在一定的差异，从而影响所述绝缘层上图案化的尺寸，使得对应于棱镜连接部101处的所述次TFT中次沟道的宽度和分压TFT中分压沟道的宽度同时变长或变短；进而造成蚀刻出的分压TFT中分压沟道的宽度与次TFT中次沟道的宽度的比值发生较大变化，对分压TFT与次TFT的分压比影响较大，整体上，影响了位于棱镜连接部101处次像素的亮度变化，造成了显示面板显示不均匀的现象。

因此，亟需一种显示面板以解决上述技术问题。

发明内容

本申请提供一种阵列基板及显示面板，以解决现有次TFT中次沟道的宽度与分压TFT中分压沟道的宽度比值易受到沟道宽度变化的影响，对次像素的亮度影响较大使得显示面板显示不均的技术问题。

为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：

本申请提供了一种阵列基板，包括衬底基板、以及呈阵列分布于所述衬底基板上的多个像素单元，任一所述像素单元至少包括主像素电极、次像素电极、与所述次像素电极电连接的第一TFT、与所述第一TFT电连接的第二TFT、以及与所述主像素电极电连接的第三TFT；

所述第一TFT包括第一源极、第一漏极、至少部分位于所述第一源极与所述第一漏极之间的第一沟道、以及设置于所述第一沟道处的第一半导体层；所述第二TFT包括第二源极、第二漏极、位于所述第二源极与所述第二漏极之间的第二沟道、以及设置于所述第二沟道处的第二半导体层。

其中，所述第一沟道至少包括两子沟道，所述第一半导体层至少包括两半导体子层，每一所述子沟道中均设有一所述半导体子层。

在本申请的阵列基板中，所述第一沟道至少包括第一子沟道和第二子沟道，所述第一半导体层至少包括位于所述第一子沟道内的第一半导体子层和位于所述第二子沟道内的第二半导体子层；所述第一子沟道和/或第二子沟道位于所述第一源极与所述第一漏极之间。

在本申请的阵列基板中，所述第一TFT与所述第二TFT通过所述第一源极与所述第二源极连接；或

通过所述第一漏极与所述第二漏极连接；

所述第二TFT设置于靠近所述第一TFT处，所述第一子沟道设置于所述第一TFT与所述第二TFT之间，所述第一沟道中至少所述第二子沟道设置于所述第一源极与所述第一漏极之间。