[发明专利]隔切错斜坎简面阴极相倚异曲门控结构的发光背光源

说明书

本发明公开了一种隔切错斜坎简面阴极相倚异曲门控结构的发光背光源，包括真空封闭体以及位于真空封闭体内的消气剂附属元件，所述的真空封闭体由前硬透玻璃板、后硬透玻璃板和玻璃窄框条构成；在前硬透玻璃板上有阳极平透膜垫层、阳极邻续长银层和薄发光层，所述的阳极平透膜垫层和阳极邻续长银层相连，所述的薄发光层制作在阳极平透膜垫层上面；在后硬透玻璃板上有隔切错斜坎简面阴极相倚异曲门控结构。具有发光背光源的发光灰度可调节性能良好的优点。

技术领域

本发明属于半导体科学与技术领域、纳米科学与技术领域、集成电路科学与技术领域、微电子科学与技术领域、平面显示技术领域、光电子科学与技术领域以及真空科学与技术领域的相互交叉领域，涉及到平面发光背光源的制作，具体涉及到一种碳纳米管阴极的平面发光背光源的制作，特别涉及到一种隔切错斜坎简面阴极相倚异曲门控结构的发光背光源及其制作工艺。

背景技术

碳纳米管阴极具有优异的电子发射特性，可以应用于发光背光源元器件当中，用以为发光背光源提供阴极电流。由于碳纳米管具有极高的机械强度，故而碳纳米管能够耐受诸如印刷、研磨等工艺而不会受到损伤。在碳纳米管阴极的图形制备等方面，科研人员已经进行了大量探索和研究。然而，在三极结构的发光背光源中，还有如下的技术难题有待克服。第一，门极对碳纳米管阴极的电子发射的控制性能很弱。门极的加入，就是为了加强对碳纳米管阴极电子发射进行控制的，这也是门极的本质作用。门极对碳纳米管阴极的失控现象有很多种表现，诸如：当施加了较小的门极电压后，碳纳米管阴极根本就不进行电子发射；在碳纳米管进行了电子发射以后，随着门极电压的撤除，碳纳米管阴极并没有停止电子发射；等等。若不对门极电压对碳纳米管阴极失控情况加以避免和采取有效措施，那门极的设置也就变得毫无意义了。第二，碳纳米管阴极的电子发射很不均匀。在同一碳纳米管层中，有的碳纳米管进行电子发射，但大部分的碳纳米管是不发射电子的，故而碳纳米管的电子发射密度是十分不均衡的；在不同的碳纳米管层中，其电子发射电流也是并不完全相同的，有的阴极电流大一些而也有的阴极电流小一些。上述技术难题还需要认真探索。

发明内容

发明目的：本发明的目的在于克服上述发光背光源中存在的缺陷和不足而提供一种发光背光源的发光亮度高的、且发光背光源的发光灰度可调节性能良好的隔切错斜坎简面阴极相倚异曲门控结构的发光背光源及其制作工艺。

技术方案：本发明的隔切错斜坎简面阴极相倚异曲门控结构的发光背光源，包括真空封闭体以及位于真空封闭体内的消气剂附属元件，所述的真空封闭体由前硬透玻璃板、后硬透玻璃板和玻璃窄框条构成；在前硬透玻璃板上有阳极平透膜垫层、阳极邻续长银层和薄发光层，所述的阳极平透膜垫层和阳极邻续长银层相连，所述的薄发光层制作在阳极平透膜垫层上面；在后硬透玻璃板上有隔切错斜坎简面阴极相倚异曲门控结构。