[发明专利]一种微型LED芯片巨量转移方法

说明书

本发明公开了一种微型LED芯片巨量转移方法，包括制作多个微型LED芯片，所述微型LED芯片具有第一电极和第二电极，在第一电极上包覆一层磁性物质，基板上的第一安装位置设置磁体，所述磁体远离所述基板的一端与所述第一电极的向外一端为异名磁极，对溶液内施加电场，多个微型LED芯片在溶液中由流体冲击搅拌均匀，然后在磁力和电场力的作用下做到准确区分第一电极和第二电极的同时快速、低成本地完成巨量转移。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种微型LED芯片巨量转移方法。

背景技术

微型发光二极管是将传统的发光二极管结构进行微小化和矩阵化，并采用CMOS集成电路工艺制成驱动电路，来实现每一个像素点定址控制和单独驱动的显示技术。Mini/Micro LED芯片通常在制作完成之后，会进行巨量转移，具体为将大量(通常为几万至百万千万)Mini/Micro LED芯片转移到驱动电路板上形成LED阵列。目前巨量转移的方法是在衬底上形成若干芯片之后，先将所有的芯片粘附在同一个蓝膜上，去除衬底；再对蓝膜进行扩散，以增加蓝膜上相邻芯片之间的距离；最后将蓝膜上所有芯片分别固定在驱动电路板上，去除蓝膜。由于巨量转移技术要求非常高的效率、良品率和转移精度，是目前微型LED产业化过程中面临的核心技术难题，存在转移速度不快、精度不够高、成本太高等技术问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种微型LED芯片巨量转移方法，可以有效解决背景技术中的问题。

为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：

一种微型LED芯片巨量转移方法，包括：

制作多个微型LED芯片，所述微型LED芯片具有第一电极和第二电极，生长电极时在第一电极加入磁性物质；

制作基板或胶带，所述基板或胶带上设有多个与所述第一电极对应的第一安装位置以及多个与所述第二电极对应的第二安装位置；

对溶液施加电场或超声波；

所述微型LED芯片和所述基板或胶带置于所述溶液内，所述第一安装位置设置磁场，所述第一电极在磁力的作用下安装在第一安装位置，所述第二电极在电场或超声波震动的作用下安装在第二安装位。

可选的，所述第一安装位置设置磁体，所述磁体向外的一端与所述第一电极的向外一端为异名磁极，所述磁场由所述磁体发生。

可选的，所述基板或胶带下方与所述第一安装位置的处于同一垂线的位置设置磁体，所述磁体向上的一端与所述第一电极的向外一端为异名磁极，所述磁场由所述磁体发生。

可选的，所述电场由位于所述基板或胶带下方的下电极板和位于所述基板或胶带上方的上电极板发生，所述磁体设于所述下电极板上，所述磁体位于所述第一安装位置正下方。

可选的，所述对溶液施加电场，包括：

所述电场为交变电场，所述第二电极通过介电泳(di-electrophoresis)安装在所述第二安装位置。

可选的，包括：

所述电场为稳定电场，所述第二电极通过电泳安装在所述第二安装位置。

可选的：

向所述基板或胶带发射超声波，令LED芯片发生震动。

可选的，所述方法还包括：

多个所述微型LED芯片和所述基板或胶带放入同一溶液后，向所述溶液通入气体或液体进行冲击，使多个所述微型LED芯片在溶液中搅拌。

可选的，所述生长电极时在第一电极加入磁性物质，包括：

使所述磁性物质以0.1微米至10微米的厚度包覆所述第一电极；