[发明专利]氧化钇薄膜的形成方法及系统

权利要求书

1.一种氧化钇薄膜的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

图形化氧化钇薄膜；

至少进行一次刻蚀工艺；所述刻蚀工艺包括以下步骤：

采用含氯气体对所述氧化钇薄膜进行各向异性干法刻蚀；

进行湿法处理；干燥。

2.根据权利要求1所述的氧化钇薄膜的形成方法，其特征在于，多次循环所述刻蚀工艺。

3.根据权利要求1所述的氧化钇薄膜的形成方法，其特征在于，所述湿法处理的步骤包括先浸泡，后清洗。

4.根据权利要求1所述的氧化钇薄膜的形成方法，其特征在于，图案化氧化钇薄膜的工艺选自直接光刻或者电子束光刻，完成刻蚀工艺后，去除光刻胶。

5.根据权利要求1所述的氧化钇薄膜的形成方法，其特征在于，所述含氯包括辅助气体和氯基气体。

6.根据权利要求5所述的氧化钇薄膜的形成方法，其特征在于，所述辅助气体选自He、Ar、BCl₃或N₂，所述氯基气体选自Cl₂、CCl₄或SiCl₄。

7.根据权利要求1所述的氧化钇薄膜的形成方法，其特征在于，控制各向异性干法刻蚀所述氧化钇薄膜的速率在0.5-50nm/min。

8.根据权利要求1所述的氧化钇薄膜的形成方法，其特征在于，将待进行各向异性干法刻蚀的氧化钇薄膜放置在干法刻蚀腔内，其中，所述干法刻蚀腔内的压力为1-100mT，所述干法刻蚀腔内上电极功率范围100-5000W，所述干法刻蚀腔内下电极功率为0-1000W。

9.根据权利要求8所述的氧化钇薄膜的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀装置的上电极功率范围500-2500W，所述干法刻蚀装置的下电极功率为0-500W。

10.根据权利要求1所述的氧化钇薄膜的形成方法，其特征在于，所述干燥的步骤包括甩干。

11.根据权利要求1-10任一项所述的氧化钇薄膜的形成方法，其特征在于，采用磁控溅射、原子层沉积或者电子束蒸发再氧化方式在所述衬底上形成氧化钇薄膜。

12.一种氧化钇薄膜刻蚀系统，其特征在于，包括:

第一预抽真空室，用于放置图形化氧化钇薄膜晶片；

校准器，用于对图形化的氧化钇薄膜晶片进行定位；

第一传输装置，用于将定位后的晶片传入干法刻蚀腔；

干法刻蚀腔，用于采用含氯气体对定位后的晶片进行各向异性干法刻蚀；

第二传输装置，用于将完成各向异性干法刻蚀的晶片传入湿法清洗甩干腔；

湿法清洗甩干腔，用于对氧化钇薄膜表面生成的氯化钇薄膜进行清除甩干；

第三传输装置，用于将清除甩干的晶片传入第二预抽真空室待取出。

13.根据权利要求12所述的氧化钇薄膜刻蚀系统，其特征在于，还包括：

机械手，用于夹取所述第一预抽真空室、校准器、第二预抽真空室内的待处理晶片。