[发明专利]阵列基板及其制造方法在审
| 申请号： | 202010390632.9 | 申请日： | 2020-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN111584503A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 胡小波 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 吕姝娟 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制造 方法 | ||
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底层和依次层叠设置于所述衬底层上的栅极层、绝缘层、半导体层、源漏极层、钝化层和像素电极层；其中，所述阵列基板还包括阻挡层，所述阻挡层覆盖于所述栅极层上和/或所述源漏极层上。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阻挡层的材料包括五氧化二钽、五氧化二铌或二氧化钛。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阻挡层的厚度为50埃-500埃。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极层和/或所述源漏极层包括第一金属子层和第二金属子层，所述第一金属子层的材料包括铝，所述第二金属子层的材料包括钼或钛。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属子层覆盖于所述第一金属子层上或所述第二金属子层层叠设置于所述第一金属子层上。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，当所述第二金属子层层叠设置于所述第一金属子层上时，位于所述栅极层和/或所述源漏极层侧表面上的所述阻挡层的厚度大于位于所述栅极层和/或所述源漏极层上表面上的所述阻挡层的厚度。
7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阻挡层的材料包括钼或钛。
8.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
提供一衬底层；
在所述衬底层上依次形成栅极层、绝缘层、半导体层、源漏极层、钝化层和像素电极层；
其中，所述阵列基板的制造方法还包括在所述栅极层和/或所述源漏极层上形成覆盖所述栅极层和/或所述源漏极层的阻挡层。
9.如权利要求8所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包括五氧化二钽、五氧化二铌或二氧化钛。
10.如权利要求9所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为50埃-500埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
