[发明专利]半导体元件在审
申请号: | 202010391112.X | 申请日: | 2020-05-11 |
公开(公告)号: | CN112687741A | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 苏圣凯 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/08 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 元件 | ||
【权利要求书】:
1.一种半导体元件,其特征在于,包含:
一栅极结构,位于一基板上;
多个半金属源/漏极结构,位于该栅极结构的相对两侧,其中所述多个半金属源/漏极结构的一能带结构具有位于不对称K点上的一价带和一传导带;以及
多个源/漏极接触,分别位于所述多个半金属源/漏极结构的上表面上方。
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