[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其包括：

衬底，其具有从所述衬底的顶部表面朝向与所述顶部表面相对的所述衬底的底部表面凹入的腔，其中所述腔具有侧壁及底部表面，且所述腔的所述底部表面基本上平行于所述衬底的所述顶部表面；

光源结构，其在所述腔中，且所述光源结构从所述光源结构的侧壁发射光；及

衍射光学元件DOE，其在所述衬底的所述顶部表面上方；

其中所述腔的所述侧壁是倾斜表面，使得当所述光入射于所述侧壁上时，所述倾斜表面反射所述入射光以朝向所述DOE产生经反射光。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述光源结构为边缘发射激光二极管EELD。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述光源结构的顶部表面低于所述衬底的所述顶部表面。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述腔的所述侧壁具有(111)表面定向。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中所述腔的所述底部表面具有(100)表面定向。

6.根据权利要求4所述的半导体结构，其中所述腔的所述侧壁与所述腔的所述底部表面形成等于约54.7度的角。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其进一步包括在所述光源结构与所述腔的所述侧壁之间用于光扩展的透镜。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其进一步包括所述衬底上方的透明衬底，所述透明衬底具有顶部表面及底部表面，其中所述DOE在所述透明衬底的所述顶部表面处且所述透明衬底的所述底部表面面向所述腔。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中所述透明衬底的所述底部表面具有用于光扩展的凹形结构。

10.一种半导体结构，其包括：

衬底，其具有从所述衬底的顶部表面朝向与所述顶部表面相对的所述衬底的底部表面凹入的腔，其中所述腔具有侧壁及底部表面，且所述腔的所述底部表面基本上平行于所述衬底的所述顶部表面；

光源结构，其在所述腔中；

第一透明衬底，其在所述衬底的所述顶部表面上方；

导电层，其介于所述衬底与所述第一透明衬底之间；及

第一导电特征，其穿过所述第一透明衬底、所述衬底及所述导电层，且所述第一导电特征通过所述导电层耦合到所述光源结构。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其中所述导电层沿着所述衬底的所述顶部表面、所述腔的所述侧壁及所述腔的所述底部表面延伸。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其中所述第一导电特征通过所述导电层耦合到所述光源结构的第一端子。

13.根据权利要求12所述的半导体结构，其进一步包括第二导电特征，所述第二导电特征穿过所述第一透明衬底及所述衬底，其中所述第二导电特征通过所述导电层耦合到所述光源结构的第二端子。

14.根据权利要求13所述的半导体结构，其进一步包括：

第一衍射光学元件DOE，其在所述第一透明衬底上方；及

第一电薄膜，其在所述第一DOE上方。

15.根据权利要求14所述的半导体结构，其中所述第一电薄膜包含氧化铟锡ITO。

16.根据权利要求14所述的半导体结构，其进一步包括第三导电特征，所述第三导电特征穿过所述第一透明衬底及所述衬底，其中所述第三导电特征耦合到所述第一电薄膜。