[发明专利]吸收性缺陷单光束光热测量装置和测量方法在审
申请号: | 202010391287.0 | 申请日: | 2020-05-11 |
公开(公告)号: | CN111426700A | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 刘世杰;倪开灶;邵建达;王微微;徐天柱;李英甲;鲁棋 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所;上海恒益光学精密机械有限公司 |
主分类号: | G01N21/95 | 分类号: | G01N21/95;G01N21/17 |
代理公司: | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人: | 张宁展 |
地址: | 201800 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 吸收性 缺陷 光束 光热 测量 装置 测量方法 | ||
一种吸收性缺陷单光束光热测量装置和测量方法,该装置包括共光路型和非共光路型结构。本发明光路结构简单,便于安装调试。测量结果稳定,避免环境振动、样品倾斜导致的测量信号异常。通过探测光斑边缘的光束的功率变化,系统的测量灵敏度得到显著提升。
技术领域
本发明涉及缺陷检测领域,特别是一种针对光学元件表面吸收性缺陷的测量装置和测量方法。
背景技术
强激光系统使用的光学元件的损伤问题一直是限制装置输出通量提升的核心因素。光学材料在生长过程中引入的溶液中的金属杂质,研磨、抛光、修形后表面残留的抛光液、磁流变液等金属、非金属杂质,以及镀膜后,膜层内的节瘤缺陷都具有比光学元件自身更高的吸收。这些缺陷作为光吸收中心,在高能量激光辐照下,对激光产生强烈吸收,超过元件的可承受范围,造成元件损伤。
目前用于缺陷探测的方法主要包括显微散射暗场成像法、荧光显微成像法和光热扫描成像法。显微散射暗场成像法主要针对划痕、麻点等结构性缺陷,利用缺陷产生的散射光进行成像探测。上述金属、非金属等杂质离子等缺陷对入射光几乎不产生散射,显微散射暗场成像法不能有效探测到这些视觉不可见的缺陷。荧光显微成像法利用缺陷在短波长激光激发下产生的荧光进行成像,荧光显微成像探测灵敏度低,且无法探测激光辐照下不发光的吸收性缺陷。传统的光热扫描成像技术基于光热效应,泵浦光照射元件表面使其产生热形变,探测光测量该区域的热形变程度。该方法能够探测上述吸收性缺陷,灵敏度高,但测量光路复杂,调节难度大,两个光斑重叠程度对探测灵敏度影响大,尤其是扫描较大尺寸元件的表面时,环境振动、样品倾斜都会让两个光斑重叠程度发生显著变化,甚至可能不重叠,导致测量信号不均匀或无信号,容易漏检或误识别吸收性缺陷。
发明内容
为克服上述现有技术的不足,本发明提供一种吸收性缺陷单光束光热测量装置和测量方法。该测量装置的光路结构简单,便于安装调试。测量结果稳定,避免环境振动、样品倾斜导致的测量信号异常。通过探测光斑边缘的光束的功率变化,系统的测量灵敏度得到显著提升。
该方法利用缺陷与材料基底的吸收差异,通过单光束即可探测缺陷区域的吸收异常。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案如下:
本发明吸收性缺陷单光束光热测量包括共光路型和非共光路型两种:
一种共光路型吸收性缺陷单光束光热测量装置,其特点在于,包括激光器、扩束器、功率调节器、分束器、功率计、斩波器、偏振分束器、四分之一波片、反射镜、振镜扫描器、扫描透镜、会聚透镜、挡板光阑、光电探测器、锁相放大器、XYZ位移平台和计算机,待测样品置于所述的XYZ位移平台上;
沿所述的激光器发出的光束的方向依次为所述的扩束器、功率调节器、分束器,所述的分束器将入射光束分为强度不同的弱反射光和强透射光,沿所述的弱反射光方向是所述的功率计,沿所述的强透射光方向依次是所述的斩波器、偏振分束器、四分之一波片、反射镜、振镜扫描器和扫描透镜;
所述的强透射光束被所述的斩波器调制;调制入射光经所述的偏振分束器后输出p偏振光,该p偏振光经过所述的四分之一波片后输出圆偏振光;该圆偏振光经过所述的振镜扫描器和扫描透镜后聚焦入射到待测样品表面;所述的待测样品的表面在激光照射下产生热形变;被热形变调制的反射光依次通过所述的扫描透镜、振镜扫描器、反射镜和四分之一波片后,成为s偏振光;该s偏振光经过所述的偏振分束器反射后,经所述的会聚透镜聚焦;该聚焦光束通过所述的挡板光阑后,光斑边缘的光束被所述的光电探测器接收;
所述的斩波器的调制频率作为参考信号,经过线缆输入所述的锁相放大器第二输入端;所述的光电探测器采集的信号作为测量信号,输入所述的锁相放大器第一输入端;
所述的计算机的控制信号输出端分别与所述的XYZ位移平台的控制端及振镜扫描器的控制端连接,所述的锁相放大器的输出端与所述的计算机的输入端连接。
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