[发明专利]氧化物衬底原位生长银纳米棒的制备方法及应用

权利要求书

1.氧化物衬底原位生长银纳米棒的制备方法所制备的银纳米棒的应用，其特征在于，作为偏振复用全息存储材料的应用；

氧化物衬底原位生长银纳米棒的制备方法，包括如下步骤：

S1、制备ZnO纳米线；

S2、制备浓度为0.14～0.16mol/L的AgNO₃溶液；

S3、将ZnO纳米线避光浸泡在AgNO₃溶液中，待ZnO纳米线表面吸附Ag⁺后通过光照还原Ag⁺直至ZnO纳米线表面生长出银纳米棒。

2.如权利要求1所述的氧化物衬底原位生长银纳米棒的制备方法所制备的银纳米棒的应用，其特征在于，所述S3具体过程为：

S3.1、使用紫外灯辐照ZnO纳米线；

S3.2、将ZnO纳米线避光浸没在AgNO₃溶液中，使ZnO纳米线表面吸附Ag⁺；

S3.3、通过光照还原ZnO纳米线表面上的Ag⁺，直至在ZnO纳米线的表面生长出银纳米棒。

3.如权利要求2所述的氧化物衬底原位生长银纳米棒的制备方法所制备的银纳米棒的应用，其特征在于，在S3.1中所述紫外灯对S1制备得到的ZnO纳米线辐照30min；在S3.2中将ZnO纳米线避光浸没在AgNO₃溶液中60min，将表面吸附有Ag⁺的ZnO纳米线从AgNO₃溶液中取出并进行干燥；在S3.3中采用紫外光照射表面吸附有Ag⁺的ZnO纳米线20min。

4.如权利要求1所述的氧化物衬底原位生长银纳米棒的制备方法所制备的银纳米棒的应用，其特征在于，所述AgNO₃溶液的浓度为0.15mol/L。

5.如权利要求1所述的氧化物衬底原位生长银纳米棒的制备方法所制备的银纳米棒的应用，其特征在于，所述S1包括如下步骤：

S1.1、制备用于生长ZnO纳米线的种子溶液；

S1.2、制备用于生长ZnO纳米线的生长溶液；

S1.3、取种子溶液制备ZnO种子层；

S1.4、将ZnO种子层置于生长溶液中进行水热生长得到ZnO纳米线。

6.如权利要求5所述的氧化物衬底原位生长银纳米棒的制备方法所制备的银纳米棒的应用，其特征在于，所述S1.3具体过程为：将玻璃衬底放置在旋涂仪上，使用移液枪吸取种子溶液滴在干净的玻璃衬底上进行旋涂，得到表面涂有种子溶液的玻璃衬底；将表面涂有种子溶液的玻璃衬底放在热盘上进行退火，退火温度是300℃，退火时间为30-40min，退火后得到具有一层ZnO种子层的玻璃衬底；所述S1.4具体过程为：将具有一层ZnO种子层的玻璃衬底浸泡在含有生长液的反应釜中进行水热生长，水热生长温度为90-100℃，生长时间为60min，生长结束后，将反应釜散热60min后取出玻璃衬底，得到具有ZnO纳米线的玻璃衬底，将取出的具有ZnO纳米线的玻璃衬底用超纯水进行冲洗，冲洗后使用吹尘枪进行吹干，得到了ZnO纳米线。