[发明专利]磁存储器件

权利要求书

1.一种磁存储器件，包括：

在基板上的下接触插塞；

在所述下接触插塞上的磁隧道结图案；

底电极，在所述下接触插塞和所述磁隧道结图案之间，并与所述磁隧道结图案的底表面接触；以及

顶电极，在所述磁隧道结图案的顶表面上，

其中所述底电极和所述顶电极在第一方向上彼此间隔开，并且其中所述底电极在所述第一方向上的第一厚度是所述磁隧道结图案在所述第一方向上的第二厚度的0.6至1.1倍。

2.根据权利要求1所述的磁存储器件，其中所述底电极包括金属氮化物。

3.根据权利要求1所述的磁存储器件，其中所述底电极是金属氮化物的整体层。

4.根据权利要求1所述的磁存储器件，其中所述顶电极在所述第一方向上的第三厚度是所述磁隧道结图案在所述第一方向上的所述第二厚度的1.2至1.9倍。

5.根据权利要求4所述的磁存储器件，其中所述顶电极包括非磁性金属和金属氮化物中的至少一种，并且所述磁存储器件还包括：

绝缘层，其中所述下接触插塞在所述绝缘层中，并且其中所述底电极的底表面接触所述绝缘层和所述下接触插塞两者。

6.根据权利要求4所述的磁存储器件，其中所述顶电极是金属氮化物的整体层。

7.根据权利要求1所述的磁存储器件，其中所述底电极与所述下接触插塞的顶表面接触。

8.根据权利要求1所述的磁存储器件，其中所述底电极与所述下接触插塞的顶表面接触并延伸超过所述下接触插塞的所述顶表面的边缘，并且所述磁存储器件还包括：

在所述基板和所述下接触插塞之间的互连结构，

其中所述互连结构包括：

互连线，在所述基板上并在所述第一方向上彼此间隔开；和

在所述互连线之间的接触，

其中所述下接触插塞连接到所述互连线中的最上面的一条。

9.根据权利要求8所述的磁存储器件，还包括：

导电线，在所述顶电极上并在第二方向上延伸超过所述顶电极的边缘，其中所述第二方向垂直于所述第一方向，

其中所述顶电极在所述导电线和所述磁隧道结图案之间，并且其中所述导电线在所述第一方向上的第四厚度大于所述互连线中的所述最上面的一条在所述第一方向上的第五厚度。

10.根据权利要求9所述的磁存储器件，其中所述顶电极与所述磁隧道结图案的所述顶表面和所述导电线的底表面接触，并且所述顶电极在所述第一方向上的第三厚度是所述磁隧道结图案的所述第二厚度的1.2至1.9倍。

11.根据权利要求7所述的磁存储器件，还包括：

在所述顶电极上的导电线，

其中所述顶电极与所述磁隧道结图案的所述顶表面和所述导电线的底表面接触，并且所述顶电极在所述第一方向上的第三厚度是所述磁隧道结图案的所述第二厚度的1.2至1.9倍。

12.一种磁存储器件，包括：

在基板上的互连线；

接触，在所述基板和所述互连线之间并将所述互连线连接到所述基板；

在所述互连线上的导电线；

磁隧道结图案，在所述互连线和所述导电线之间；

下接触插塞，在所述磁隧道结图案和所述互连线之间；

底电极，在所述磁隧道结图案和所述下接触插塞之间；以及

顶电极，在所述磁隧道结图案和所述导电线之间，

其中所述底电极和所述顶电极在第一方向上彼此间隔开，并且其中所述底电极在所述第一方向上的第一厚度是所述磁隧道结图案在所述第一方向上的第二厚度的0.6至1.1倍。