[发明专利]存储设备、其操作方法及包括其的电子设备在审
申请号: | 202010391904.7 | 申请日: | 2020-05-11 |
公开(公告)号: | CN112306898A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 金鼎勋;金圣训 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02;G06F12/0882 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 设备 操作方法 包括 电子设备 | ||
提供了一种存储设备、其操作方法和包括其的电子设备。所述存储设备包括非易失性存储器和控制器,所述非易失性存储器包括主元数据区域和日志区域。所控制器通过执行存储在工作存储器中的闪存转换层(FTL)来更新地址映射表,所述地址映射表包括被划分为多个片段的多个页映射条目;将所述多个页映射条目中的更新后的页映射条目作为日志数据存储在所述日志区域中;并且将所述多个片段存储在所述主元数据区域中,所述多个片段均具有小于所述非易失性存储器的物理页的大小。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年7月23日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0088963的优先权,通过引用将所述韩国专利申请的全部公开内容合并于此。
技术领域
本文描述的本发明构思的示例性实施例涉及用于改善日志重放的存储设备及其操作方法和包括该存储设备的电子设备。
背景技术
作为非易失性存储介质的存储设备不管是否向其供电都可以永久地或半永久地保留数据。该存储设备可以包括非易失性存储器和易失性存储器二者,易失性存储器的容量小于非易失性存储器的容量但具有快速的输入/输出速度。例如,存储设备可以将易失性存储器用作关于非易失性存储器的高速缓冲存储器。
然而,当发生诸如突然断电(SPO)和系统崩溃的电源事件时,存储在存储设备的易失性存储器中的数据会丢失。因此,为了防止数据丢失,存储设备可以将存储在易失性存储器中的数据存储在非易失性存储器中。
发明内容
根据本发明构思的示例性实施例,一种存储设备包括非易失性存储器和控制器,所述非易失性存储器包括主元数据区域和日志区域。所控制器通过执行存储在工作存储器中的闪存转换层(FTL)来更新地址映射表,所述地址映射表包括被划分为多个片段的多个页映射条目;将所述多个页映射条目中的更新后的页映射条目作为日志数据存储在所述日志区域中;并且将所述多个片段存储在所述主元数据区域中,所述多个片段均具有小于所述非易失性存储器的物理页的大小。
根据本发明构思的示例性实施例,一种存储设备的操作方法,所述存储设备包括控制器和非易失性存储器,所述控制器被配置为执行闪存转换层(FTL),所述非易失性存储器包括主元数据区域和日志区域。所述操作方法包括:由所述控制器更新包括多个页映射条目的地址映射表;将所述多个页映射条目中的更新后的页映射条目作为日志数据存储在所述日志区域中;并且基于所述更新后的页映射条目被存储在所述日志区域中的顺序以及划分所述多个页映射条目的多个片段中的每个片段的所述更新后的页映射条目的数量,将所述多个片段存储在所述主元数据区域中。
根据本发明构思的示例性实施例,一种电子设备包括主机和存储设备,所述主机被配置为发送包括逻辑地址的请求,所述存储设备包括非易失性存储器和控制器。所述非易失性存储器包括主元数据区域和日志区域。所述控制器被配置为:通过处理所述主机的所述请求来更新地址映射表,所述地址映射表包括被划分为多个片段的多个页映射条目;将所述多个页映射条目中的更新后的页映射条目作为日志数据存储在所述日志区域中;并且将所述多个片段存储在所述主元数据区域中,所述多个片段均具有小于所述非易失性存储器的物理页的大小。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明构思的示例性实施例,本发明构思的以上以及其他目的和特征将变得清楚。
图1示出根据本发明构思的示例性实施例的电子设备的框图。
图2示出根据本发明构思的示例性实施例的电子设备的框图。
图3至图6示出用于描述根据本发明构思的示例性实施例的控制器如何将元数据存储在非易失性存储器中的示图。
图7和图8示出根据本发明构思的示例性实施例的控制器将元数据与时间戳一起存储的示例。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010391904.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有环状半导体鳍片的半导体元件结构的制备方法
- 下一篇:多层陶瓷电容器