[发明专利]闪烁晶体和包括其的测井设备和医学成像设备在审

专利信息
申请号: 202010392322.0 申请日: 2016-02-15
公开(公告)号: CN111443374A 公开(公告)日: 2020-07-24
发明(设计)人: 杨侃;P·R·蒙格;J·M·弗兰克 申请(专利权)人: 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
主分类号: G01T1/202 分类号: G01T1/202;G01T1/161;G01V5/04
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 章蕾
地址: 美国马*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 闪烁 晶体 包括 测井 设备 医学 成像
【权利要求书】:

1.一种闪烁晶体,其包含NaX:Tl,RE,其中:

X表示卤素;

RE为Sc,Y,Lu,Yb或其任意组合;

Tl具有1×10-5mol%至0.2mol%范围内的掺杂剂浓度;且

RE具有1×10-5mol%至9mol%范围内的掺杂剂浓度;并且

所述闪烁晶体具有包括如下的性能:

在不大于430nm的波长下的发射最大值。

2.根据权利要求1所述的闪烁晶体,其中RE具有至少1×10-4mol%的掺杂剂浓度。

3.根据权利要求1所述的闪烁晶体,其中X为I和Br的组合。

4.根据权利要求1所述的闪烁晶体,其中X为I。

5.一种方法,其包含:

提供根据权利要求1所述的闪烁晶体;

捕获在所述闪烁晶体内的辐射;

确定所述捕获的辐射的脉冲衰减时间和实际光输出;

确定对应于所述脉冲衰减时间的估算的光输出;并且

计算调节的光输出,所述调节的光输出为所述实际光输出与NaX:Tl的所述光输出除以所述估算的光输出相乘的乘积。

6.一种闪烁晶体,其包含NaX:Tl,Me2+和RE,其中:

X表示卤素;

Me2+表示二价金属元素;

RE表示稀土元素;

Tl具有1×10-5mol%至0.2mol%范围内的掺杂剂浓度;

Me2+具有的掺杂剂浓度大于T1的掺杂剂浓度;且

其中在所述闪烁晶体和NaI:Tl晶体在22℃下测量并且暴露于具有662keV能量的γ辐射时,所述闪烁晶体具有比所述NaI:Tl晶体的脉冲衰减时间小至少5%的脉冲衰减时间。

7.根据权利要求6所述的闪烁晶体,其中Me2+为Sr,且具有不大于0.9mol%的浓度。

8.根据权利要求6所述的闪烁晶体,所述闪烁晶体具有在662keV、22℃和1微秒积分时间下测量时,低于6.4%的能量分辨率。

9.一种闪烁晶体,其包含NaX:Tl,Me2+和RE,其中:

X表示卤素;

Me2+表示二价金属元素;

RE表示稀土元素;

Tl具有1×10-5mol%至0.2mol%范围内的掺杂剂浓度;

Me2+:Tl的比例为1.5至7.0的范围;并且

其中在所述闪烁晶体和NaI:Tl晶体在22℃下测量并且暴露于具有662keV能量的γ辐射时,所述闪烁晶体具有比所述NaI:Tl晶体的脉冲衰减时间小至少5%的脉冲衰减时间。

10.根据权利要求9所述的闪烁晶体,其中Me2+具有不大于5mol%的浓度。

11.根据权利要求9所述的闪烁晶体,其中在所述闪烁晶体和所述NaI:Tl晶体在662keV、22℃和1微秒积分时间下测量时,所述闪烁晶体具有低于6.4%的能量分辨率。

12.根据权利要求9所述的闪烁晶体,其中在32keV到81keV范围内的能量下,所述闪烁晶体具有不大于1.15的如归一化到在2615keV下的光输出的平均相对光输出。

13.根据权利要求9所述的闪烁晶体,其中在122keV到511keV范围内的能量下,所述闪烁晶体具有不大于1.07的如归一化到在2615keV下的光输出的平均相对光输出。

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