[发明专利]一种硅片边缘剥离方法及硅片

说明书

本发明提供一种硅片边缘剥离方法及硅片，所述方法包括：对硅片背面的氧化层进行边缘剥离；对边缘剥离后的硅片的正面进行亲水性处理。根据本发明实施例的硅片边缘剥离方法，通过在边缘剥离工艺中进行边缘剥离后增加亲水性处理步骤，可以在边缘剥离工艺后直接得到具有亲水性表面的硅片，而亲水性表面能够有效阻止污染物进入硅片内部，从而可以防止硅片受污染，继而提高了制得的硅片的品质。

技术领域

本发明涉及边缘剥离技术领域，具体涉及一种硅片边缘剥离方法及硅片。

背景技术

目前，硅片进行边缘剥离工艺中，通常是对硅片背面沉积的氧化层进行保护，而忽略了硅片正面的氧化层的保护，继而使得在边缘剥离工艺后，硅片正面从原有的亲水性(有氧化膜的状态)变为了疏水性(无氧化膜的状态)。由于在剥离工艺后会有检测工艺，在运输过程中，由于硅片表面为疏水性，因此有机物、金属和颗粒等污染物会污染硅片表面，进而导致硅原子直接与污染物相接触，严重时可能会在硅片表面留下不可去除的污渍，最终导致硅片的品质降低，甚至造成硅片报废。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种硅片边缘剥离方法及硅片，能够解决现有技术中由于硅片在边缘剥离工艺后形成疏水性表面而导致硅片容易被污染，继而导致硅片品质下降的问题。

为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

本发明一方面实施例提供一种硅片边缘剥离方法，包括：

对硅片背面的氧化层进行边缘剥离；

对边缘剥离后的硅片的正面进行亲水性处理。

可选的，所述氧化层为二氧化硅薄膜层。

可选的，所述对硅片背面的氧化层进行边缘剥离包括：

对硅片背面除边缘区域以外的其他区域进行覆盖保护；

采用刻蚀液对硅片背面的边缘区域的氧化层进行刻蚀。

可选的，所述刻蚀液为氢氟酸。

可选的，所述对边缘剥离后的硅片的正面进行亲水性处理之前，还包括：

清洗边缘剥离后的硅片。

可选的，所述对边缘剥离后的硅片的正面进行亲水性处理，包括：

对边缘剥离后的硅片的正面进行氧化处理，使硅片的正面形成亲水性的氧化物层。

可选的，所述对边缘剥离后的硅片的正面进行氧化处理，包括：

将边缘剥离后的硅片的正面浸入氧化性溶液中进行氧化，或者，向边缘剥离后的硅片的正面喷淋氧化性溶液。

可选的，所述氧化性溶液为NH₄OH和H₂O₂的混合溶液、H₂SO₄和H₂O₂的混合溶液、HCl和H₂O₂的混合溶液、H₂O₂的水溶液、O₃的水溶液中的任一者。

可选的，所述对边缘剥离后的硅片的正面进行氧化处理之后，还包括：

对氧化后的硅片进行干燥处理。

本发明另一方面实施例还提供了一种硅片，所述硅片由上述的硅片边缘剥离方法制得。

本发明上述技术方案的有益效果如下：