[发明专利]一种功率半导体器件及其边缘终端区结构和加工方法在审
| 申请号： | 202010393048.9 | 申请日： | 2020-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN111446290A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 李燕;陈译 | 申请（专利权）人： | 厦门理工学院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02;H01L21/71 |
| 代理公司： | 厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙) 35222 | 代理人： | 郭福利 |
| 地址： | 361024 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 及其 边缘 终端 结构 加工 方法 | ||
1.一种功率半导体器件边缘终端区结构，其特征在于，所述边缘终端区包括：
背面金属电极层；
N+衬底，邻接于所述背面金属电极层上方；
N型外延层，邻接在所述N+衬底上方；
p掺杂场环，设置于所述N型外延层上表面；
浮游p层环，设置于N型外延层内，在N型外延层内纵向延伸，以延展空间电荷层的纵向深度；
绝缘场板，设置于所述p掺杂场环上方；
表面金属电极层，设置于所述绝缘场板和所述p掺杂场环的上方。
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件边缘终端区结构，其特征在于，所述浮游p层环设置于最外区的p掺杂场环下方。
3.根据权利要求1所述的功率半导体器件边缘终端区结构，其特征在于，所述浮游p层环设置于最外区的p掺杂场环的外侧。
4.根据权利要求1所述的功率半导体器件边缘终端区结构，其特征在于，所述浮游p层环与所述p掺杂场环断开设置。
5.根据权利要求1所述的功率半导体器件边缘终端区结构，其特征在于，所述绝缘场板的材质为二氧化硅。
6.根据权利要求1所述的功率半导体器件边缘终端区结构，其特征在于，所述N+衬底的材质为掺杂磷原子的硅片。
7.一种功率半导体器件，其特征在于，包括权利要求1～6任意一项所述的边缘终端区结构。
8.一种如权利要求1～6任意一项所述的功率半导体器件边缘终端区结构的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在N+衬底上生长N型外延层；
(2)往N型外延层内注入离子；
(3)重复步骤(1)和(2)，进行多次外延与离子注入；
(4)退火，所述离子扩散形成浮游p层环；
(5)在N型外延层上表面注入离子形成p掺杂场环，再在p掺杂场环上沉积生长绝缘场板；
(6)在绝缘场板和p掺杂场环上生成表面金属电极层，在N+衬底的下表面生成背面金属电极层。
9.根据权利要求8所述的加工方法，其特征在于，步骤(2)和步骤(5)中注入的离子均为硼。
10.根据权利要求8所述的加工方法，其特征在于，步骤(6)中，表面金属电极层和背面金属电极层通过金属蒸发和沉积形成。
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