[发明专利]一种温度检测电路有效
申请号: | 202010393928.6 | 申请日: | 2020-05-11 |
公开(公告)号: | CN111609943B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 刘君 | 申请(专利权)人: | OPPO广东移动通信有限公司 |
主分类号: | G01K7/00 | 分类号: | G01K7/00 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 马丽;张颖玲 |
地址: | 523860 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 温度 检测 电路 | ||
本申请实施例公开了一种温度检测电路,包括:比较器、第一电压生成电路和第二电压生成电路;比较器输入端分别与第一电压生成电路的电压输出端和第二电压生成电路的电压输出端相连,获取参考电压和比较电压;输出比较结果,根据比较结果确定环境温度;第二电压生成电路,包括电流生成电路和电流电压转换电路,电流生成电路用于生成与环境温度相关的电流信号,电流电压转换电路用于将电流信号转换为比较电压。如此,利用环境温度相关的电流信号来表征环境温度,对电流信号进行采样和处理来从而得到温度检测结果,由于对电流信号进行采样和处理过程中无需使用大量电容,相比于现有温度检测电路省去了大量电容,有效减少温度检测电路的面积。
技术领域
本申请涉及温度检测技术,尤其涉及一种温度检测电路。
背景技术
温度传感器(Temperature Sensor,TPS)是一种将温度转化为可读取式二进制编码的电路,集成电路芯片的温度监测至关重要,能够预防高温对芯片造成不可逆转的损坏,并且可以通过监测芯片温度进行芯片性能的调节。近年来,随着大规模集成电路的飞速发展与制造工艺的日趋精进,温度传感器的商业应用越来越广泛。由于芯片内部各个节点的温度并不完全相同,因此有些芯片中会放多个温度传感器,用来监测不同节点的温度。
图1为传统的温度传感器的理论结构示意图,图1中三极管Q1发射集接偏置电流pIbias,三级管Q2发射极接偏置电流Ibias,保证放大器工作在线性范围,Q1基极和集电极接地,Q2基极和集电极接地,ΔVBE具有正的温度系数,即VPTAT;VBE具有负的温度系数,即VCTAT。假如模数转换器(Analog-to-Digital Converter,ADC)的输出信号Dout的占空比记为μ,当Dout=1时,反馈信号控制ADC对VBE进行采样积分;当Dout=0时,反馈信号控制ADC对αΔVBE进行采样积分。ADC两个阶段的采样积分值最终是相等的,即μ·VBE=(1-μ)·αΔVBE,从而得到,μ=αΔVBE/(VBE+αΔVBE)=αΔVBE/VREF,占空比μ表征了被测试点的温度。
图2为传统ADC电路的理论结构示意图,ADC中会用到很多的电容进行采样积分,理论如图2所示。其中,Vi1、Vi2对应图1中VPTAT和VREF,C1/C3是采样电容,C2/C4是积分电容,是两相不交叠时钟,是采样时钟,是积分时钟,是运算放大器(Operation,Alamplifier,OP)的共模反馈时钟,是控制比较器(Comparator,CMP)输出的时钟,Bs是输出的单比特码流。一般会在C1/C3上实现前面公式中的α倍,而且实际应用中可能需要由很多个电容并联来实现总的C1/C3。总的个数一般会选用2的幂次方,比如8个或者16个等。从而导致传统温度传感器内会用到比较多的电容,导致芯片所占空间较大,且芯片成本较高。
发明内容
为解决上述技术问题,本申请实施例期望提供一种温度检测电路。
本申请的技术方案是这样实现的:一种温度检测电路、所述温度检测电路包括:比较器、第一电压生成电路和第二电压生成电路;
所述比较器的第一输入端与第一电压生成电路的输出端相连,获取所述第一电压生成电路输出的参考电压;所述比较器的第二输入端与所述第二电压生成电路的输出端相连,获取所述第二电压生成电路输出的比较电压;所述比较器的输出端输出比较结果,根据所述比较结果确定环境温度;
所述第二电压生成电路,包括电流生成电路和电流电压转换电路,所述电流生成电路用于生成与环境温度相关的电流信号,所述电流电压转换电路用于将所述电流信号转换为所述比较电压。
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