[发明专利]包括图像传感器芯片的半导体封装

说明书

半导体封装可以包括：图像传感器芯片；透明基板，与图像传感器芯片间隔开；接合结构，在图像传感器芯片的顶表面的边缘区域上与图像传感器芯片的顶表面和透明基板的底表面接触；以及电路基板，电连接到图像传感器芯片。图像传感器芯片可以包括：穿透电极，穿透图像传感器芯片的内部中的至少一部分；以及端子焊盘，位于图像传感器芯片的顶表面的边缘区域上并连接到穿透电极。接合结构可以包括：间隔物；以及粘合层，在间隔物与图像传感器芯片之间并与之相附接。接合结构可以与端子焊盘重叠。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年8月14日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2019-0099478的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明涉及一种半导体封装，并且更具体地，涉及一种包括图像传感器芯片的半导体封装。

背景技术

图像传感器(比如，电荷耦合器件(CCD)传感器或互补金属氧化物半导体图像传感器(CIS))被应用于各种电子产品，比如手机、数码相机、光电鼠标、安全摄像机和/或生物识别器件。由于对小型且多功能的电子产品的需求不断增长，包括图像传感器的半导体封装可能需要具有改进的技术属性(例如，小尺寸、高密度、低功耗、多功能、高信号处理速度、高可靠性、低成本和/或清晰的图像质量)。正在研究以实现半导体封装的这种技术属性。

发明内容

本发明构思的一些实施例提供了一种小尺寸的半导体封装。

本发明构思的一些实施例提供了一种高度可靠的半导体封装。

根据本发明构思的一些实施例，半导体封装可以包括：图像传感器芯片；透明基板，与图像传感器芯片间隔开；接合结构，在图像传感器芯片的顶表面的边缘区域上与图像传感器芯片的顶表面和透明基板的底表面接触；以及电路基板，电连接到图像传感器芯片。图像传感器芯片可以包括：穿透电极，穿透图像传感器芯片的内部中的至少一部分；以及端子焊盘，位于图像传感器芯片的顶表面的边缘区域上并连接到穿透电极。接合结构可以与端子焊盘重叠。

根据本发明构思的一些实施例，半导体封装可以包括图像传感器芯片，所述图像传感器芯片包括像素区域和外围区域，外围区域在平面图中包围像素区域。微透镜和滤色器可以位于图像传感器芯片上。半导体封装可以包括：透明基板，在图像传感器芯片上；接合结构，在外围区域中，所述接合结构将图像传感器芯片连接到该透明基板；电路基板，电连接到图像传感器芯片；绝缘层，在图像传感器芯片与电路基板之间；以及增强基板，与电路基板的底表面接触并在基本垂直于图像传感器芯片的垂直方向上至少与像素区域重叠。接合结构可以包括：间隔物；以及粘合层，在间隔物与图像传感器芯片之间。

根据本发明构思的一些实施例，半导体封装可以包括：透明基板，包括红外光截止滤光器；电路基板，在垂直于透明基板的底表面的第一方向上与透明基板间隔开；图像传感器芯片，在透明基板与电路基板之间，图像传感器芯片在其顶表面的中心区域上包括微透镜阵列和滤色器阵列；端子焊盘，在图像传感器芯片的顶表面的边缘区域上；穿透电极，穿透图像传感器芯片并连接到端子焊盘；连接结构，将穿透电极电连接到电路基板；以及接合结构，在图像传感器芯片的顶表面的边缘区域上并与透明基板的底表面和图像传感器芯片的顶表面接触。接合结构可以包括：间隔物；以及粘合层，在图像传感器芯片或透明基板与间隔物之间。接合结构在垂直于第一方向的第二方向上的宽度可以大于端子焊盘在第二方向上的宽度。

附图说明

根据以下结合附图的简要描述，将更清楚地理解示例实施例。附图表示如本文中所描述的非限制性示例实施例。

图1是示意性示出了根据本发明构思的一些实施例的半导体封装的平面图。

图2至图5是沿图1的线I-I’截取的截面图，并且每个截面图示出了根据本发明构思的一些实施例的半导体封装。