[发明专利]基于硫化铅产生飞秒激光脉冲信号的装置及激光器有效

专利信息
申请号: 202010395391.7 申请日: 2020-05-12
公开(公告)号: CN111564749B 公开(公告)日: 2021-07-16
发明(设计)人: 吴坚;阚雪芬;王涛;汪进;马阎星;马鹏飞;粟荣涛;姜曼;周朴 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科技大学
主分类号: H01S3/067 分类号: H01S3/067;H01S3/0933;H01S3/11;H01S3/10
代理公司: 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 代理人: 董惠文
地址: 410073 湖*** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 基于 硫化铅 产生 激光 脉冲 信号 装置 激光器
【权利要求书】:

1.一种基于硫化铅产生飞秒激光脉冲信号的装置,其特征在于,包括可饱和吸收装置(6)以及分别固定在所述可饱和吸收装置(6)两端的偏振控制器(5)和光纤耦合器(7);其中,

所述可饱和吸收装置(6)包括光纤跳线以及通过干法转移法转移到所述光纤跳线上的可饱和吸收体(9),所述可饱和吸收体(9)由硫化铅制成;

所述光纤跳线包括壳体(61)、设置在所述壳体上的输入光纤(62)和输出光纤(63)以及设置在所述输入光纤(62)和输出光纤(63)之间的连接器,所述输入光纤(62)连接到所述偏振控制器(5)的输出端,所述输出光纤(63)连接到所述光纤耦合器(7)的输入端;所述可饱和吸收体(9)设置在所述连接器上;

所述连接器包括位于所述壳体(61)内的第一连接光纤(641)和第二连接光纤(642),所述可饱和吸收体(9)包括夹持在所述第一连接光纤(641)的尾端和第二连接光纤(642)的首端之间的硫化铅微米片(643),所述第一连接光纤(641)与输入光纤(62)相连,所述第二连接光纤(642)与输出光纤(63)相连;

所述可饱和吸收体(9)还包括分别喷涂在所述第一连接光纤(641)与第二连接光纤(642)外壁上的薄膜层(645)。

2.根据权利要求1所述的基于硫化铅产生飞秒激光脉冲信号的装置,其特征在于,所述第一连接光纤(641)的尾端和第二连接光纤(642)的首端连接处外侧设置有用于连接和固定二者的光纤法兰(644)。

3.根据权利要求2所述的基于硫化铅产生飞秒激光脉冲信号的装置,其特征在于,所述第一连接光纤(641)与输入光纤(62)一体成型,所述第二连接光纤(642)与输出光纤(63)一体成型。

4.根据权利要求1所述的基于硫化铅产生飞秒激光脉冲信号的装置,其特征在于,所述硫化铅微米片(643)的制备包括以下步骤:

S1,取0.25g硫化铅粉末作为前驱体原材料放于石英舟(11)中,将载有硫化铅粉末的石英舟(11)置于石英管(10)中部,石英管(10)穿过管式炉(12)且二者中部重合;在石英管(10)下游区域放置载有硅片的石英舟(11),硅片作为硫化铅微米片(643)生长的衬底;

S2,在硫化铅微米片(643)生长之前,在石英管(10)中通入氮气,流速为200sccm,保持30分钟,以排出系统里的氧气;

S3,设置管式炉(12)中心温度为840摄氏度、硅片所处的下游沉积区温度为480摄氏度,升温时间为30分钟,当管式炉(12)中心温度达到840摄氏度时,保持10分钟,随后停止管式炉(12)加热,使系统自然冷却到室温,生长过程中,持续通入氮气,流速为30sccm。

5.根据权利要求4所述的基于硫化铅产生飞秒激光脉冲信号的装置,其特征在于,所述硫化铅粉末的纯度为99.99%,所述氮气的纯度为99.9%。

6.一种基于硫化铅产生飞秒激光脉冲信号的激光器,其特征在于,包括泵浦源(1)、波分复用器(2)、增益光纤(3)、偏振无关隔离器(4)、输出信号端(8)以及如权利要求1至5任一项所述的基于硫化铅产生飞秒激光脉冲信号的装置;

所述波分复用器(2)、增益光纤(3)、偏振无关隔离器(4)、基于硫化铅产生飞秒激光脉冲信号的装置中的偏振控制器(5)、基于硫化铅产生飞秒激光脉冲信号的装置中的可饱和吸收装置(6)以及基于硫化铅产生飞秒激光脉冲信号的装置中的光纤耦合器(7)通过光纤依次连接并形成回路;

所述泵浦源(1)以及光纤耦合器(7)的耦合器第一输出端(72)均与所述波分复用器(2)的输入端相连,所述光纤耦合器(7)的耦合器第二输出端(73)与所述输出信号端(8)相连。

7.根据权利要求6所述的基于硫化铅产生飞秒激光脉冲信号的激光器,其特征在于,所述泵浦源(1)是半导体激光器。

8.根据权利要求7所述的基于硫化铅产生飞秒激光脉冲信号的激光器,其特征在于,所述增益光纤(3)为稀土类掺杂光纤。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军国防科技大学,未经中国人民解放军国防科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010395391.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top