[发明专利]单侧刻蚀偏差测量方法及设备

说明书

本发明提供了一种单侧刻蚀偏差测量方法及设备，所述单侧刻蚀偏差测量方法包括基于同一坐标系的第一设计图案和第二设计图案，以及分别与所述第一设计图案和所述第二设计图案相对应的第一检测图案和第二检测图案；将所述第一检测图案定位于所述第一设计图案，将所述第二检测图案定位于所述第二设计图案；将所述第一检测图案和所述第二检测图案设置于同一坐标系。

技术领域

本发明涉及半导体领域，更详细地说，本发明涉及一种单侧刻蚀偏差测量方法及设备。

背景技术

近年来，随着半导体芯片制造技术的显著进步，最小特征尺寸现已可以降至10nm以下，图案密度和复杂性也比以往任何时候都大为提高。因此，在开发新的技术节点时，半导体芯片代工厂必须应对更为复杂的状况，并且其中大多数情况对于本领域技术人员已知的知识和经验来说都是全新的挑战。

刻蚀偏差是影响技术节点的可行性和良率的最重要的因素之一。这是因为不良的刻蚀偏差表将导致大量的弱点并缩小相应的工艺窗口。

创建刻蚀偏差表的传统方法是测量ADI(After Development Inspection，显影后检测)检测图案及与其对应的AEI(After Etching Inspection，刻蚀后检测)检测图案之间的CD(Critical Dimension，关键尺寸)差异。

然而，上述传统方法主要有三大缺点：(1)只能测量对称图案，从而不能反映实际设计的情况；(2)对于每个SEM图像，只能测量一个位置；(3)由于拍摄SEM图像非常耗时，因此数据数量受限。

发明内容

有鉴于现有技术中不足，本发明提供了一种单侧刻蚀测量方法，包括基于同一坐标系的第一设计图案和第二设计图案，以及分别与所述第一设计图案和所述第二设计图案相对应的第一检测图案和第二检测图案；

将所述第一检测图案定位于所述第一设计图案，将所述第二检测图案定位于所述第二设计图案；

将所述第一检测图案和所述第二检测图案设置于同一坐标系。

进一步地，所述第一检测图案与所述第一设计图案的定位关系满足：所述第一检测图案与所述第一设计图案的交叠面积最大；所述第二检测图案与所述第二设计图案的定位关系满足：所述第二检测图案与所述第二设计图案的交叠面积最大。

进一步地，根据所述第一检测图案和所述第二检测图案的相对位置关系，确定所述第一检测图案相对于所述第二检测图案的变化。

进一步地，所述第一设计图案和所述第二设计图案是同一层次的设计版图，所述第一检测图案和所述第二检测图案分别为与所述第一设计图案和所述第二设计图案相对应的制造过程中的在线检测图像。

进一步地，所述第一设计图案为ADI设计图案，所述第二设计图案为AEI设计图案，所述第一检测图案为ADI在线检测图像，所述第二检测图案为AEI在线检测图像。

进一步地，通过所述第一检测图案和所述第二检测图案的相对位置关系，确定刻蚀偏差。

进一步地，根据预设规则确定所述第一检测图案和所述第二检测图案中的无效区域。

进一步地，在计算所述第一检测图案与所述第一设计图案交叠面积时，不考虑所述无效区域；在计算所述第二检测图案与所述第二设计图案交叠面积时，不考虑所述无效区域。

进一步地，所述第一检测图案和所述第二检测图案包括不规则图形。

本发明还提供了一种单侧刻蚀测量设备，其包括

处理器；以及

被安排成存储计算机可执行指令的存储器，所述可执行指令在被执行时使所述处理器执行上述单侧刻蚀测量方法的操作。