[发明专利]一种制备电极孔的方法及计算机可读存储介质在审
| 申请号： | 202010395730.1 | 申请日： | 2020-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN111863610A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 李海燕;邱国臣 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/45 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 于金平 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 电极 方法 计算机 可读 存储 介质 | ||
1.一种制备电极孔的方法，其特征在于，包括：
在刻蚀完电极孔后的半导体器件的表面，制备一层预设厚度的金属层；
将设有金属层的半导体器件进行表面清洁处理，得到所述半导体器件的电极孔。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还包括：
通过干法刻蚀制备所述半导体器件的电极孔。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在刻蚀完电极孔后的半导体器件的表面，制备一层预设厚度的金属层，包括：
将刻蚀完电极孔后的半导体器件放入金属热蒸发设备中，生长一层预设厚度的金属层。
4.根据权利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，
所述预设厚度为100至800埃。
5.根据权利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，
所述金属层为金、银或钛。
6.根据权利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，制备一层预设厚度的金属层之后，将设有金属层的半导体器件进行表面清洁处理之前，该方法还包括：
通过剥离工艺去除所述半导体器件表面的光刻胶及多余的金属膜层。
7.根据权利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，将设有金属层的半导体器件进行表面清洁处理，包括：
将所述半导体器件放入氧等离子体设备中进行表面清洁处理。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，
所述清洁处理的时间为10-30min。
9.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有信号映射的计算机程序，所述计算机程序被至少一个处理器执行时，以实现权利要求1-8中任意一项所述的制备电极孔的方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
