[发明专利]半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上依次制作隔离层、栅极结构层和光刻胶层，所述隔离层在所述衬底上间隔分布；

采用第一光刻版作掩膜，刻蚀所述栅极结构层和所述光刻胶层至所述衬底，形成第一栅极结构，所述第一栅极结构位于相邻所述隔离层之间，所述第一栅极结构上包括所述光刻胶层，所述第一栅极结构与相邻所述隔离层之间具有间隙；

去除所述第一光刻版，以所述隔离层、所述第一栅极结构和所述光刻胶层为掩膜，依次在所述第一栅极结构的两端位置的所述衬底上制作第一阱区、在所述第一阱区上制作第一掺杂区；

补充所述光刻胶层，使所述光刻胶层至少还覆盖所述第一阱区和所述第一掺杂区；

采用第二光刻版作掩膜，刻蚀所述栅极结构层和所述光刻胶层至所述衬底，形成第二栅极结构，所述第二栅极结构位于相邻所述隔离层之间，所述第二栅极结构上包括所述光刻胶层，所述第二栅极结构与相邻所述隔离层之间具有间隙；

去除所述第二光刻版，以所述隔离层、所述第二栅极结构和所述光刻胶层为掩膜，依次在所述第二栅极结构的两端位置的所述衬底上制作第二阱区、在所述第二阱区上制作第二掺杂区；

去除所述光刻胶层，

其中，所述第一阱区与所述第二阱区的掺杂类型相反，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的掺杂类型相反，所述第一阱区和所述第一掺杂区的掺杂类型相反。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，

制作所述第一阱区和所述第二阱区中的至少一个的制作步骤包括采用斜角度注入相应掺杂离子的方法制作。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，

所述斜角度注入的角度为15度至65度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，

制作所述第一阱区和所述第二阱区中的至少一个的制作步骤包括预注入相应掺杂离子，并采用扩散的方式扩散所述相应掺杂离子，以获得体区足够大的所述第一阱区或所述第二阱区。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，

在去除所述光刻胶层之后，在所述半导体器件上制作绝缘层，并采用相应的两个光刻版在所述绝缘层上依次制作通透至所述第一掺杂区和所述第二阱区的多个第一通孔、通透至所述第二掺杂区和所述第一阱区的多个第二通孔，

并在制作所述多个第一通孔或所述多个第二通孔的步骤中，通过所述多个第一通孔向所述半导体器件注入第一类掺杂离子、通过所述多个第二通孔向所述半导体器件注入第二类掺杂离子，所述第一类掺杂离子的类型与所述第一掺杂区的掺杂类型相同，所述第二类掺杂离子的类型与所述第二掺杂区的掺杂类型相同。

6.一种半导体器件，其特征在于，通过权利要求1至5任一项所述的半导体器件的制作方法制作。