[发明专利]一种Cu2-x有效

专利信息
申请号: 202010397009.6 申请日: 2020-05-12
公开(公告)号: CN111498895B 公开(公告)日: 2023-03-31
发明(设计)人: 陈礼辉;胡海峰;陈育宙;方文韬;李国华 申请(专利权)人: 浙江工业大学
主分类号: C01G3/12 分类号: C01G3/12;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 代理人: 冷红梅
地址: 310014 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 cu base sub
【说明书】:

发明提供了一种Cu2‑xS(0x≤1)纳米片晶体结构的调控方法,隶属于纳米材料领域,该方法包括如下步骤:以无机铜盐为铜源,在惰性气体保护和磁力搅拌条件下,采用热注入法将包含硫源的四种有机溶液分别注入到铜盐与有机溶剂混合液中,一定温度下反应制备得到不同晶体结构的Cu2‑xS纳米片。受铜空位浓度影响,上述四种Cu2‑xS纳米片显示出截然不同的紫外-可见-近红外光吸收性能。除此之外,以某一晶体结构的Cu2‑xS纳米片为母版,使用不同硫源实现其晶体结构的相互转换。本发明所使用原料较为常见且价格低廉、设备简单、操作方便、产物重复性好。

(一)技术领域

本发明涉及一种Cu2-xS纳米片晶体结构的调控方法。

(二)背景技术

局域表面等离子共振(LSPR)是指在一定频率下,纳米颗粒表面的自由电荷随入射光的振动而振动,导致大部分入射光被纳米颗粒吸收或者散射。LSPR不仅存在于贵金属例如金和银中,也存在于重度掺杂的半导体中(Luther,J.M.;Jain,P.K.;Ewers,T.;Alivisatos,A.P.Localized Surface Plasmon Resonances Arising from FreeCarriers in Doped Quantum Dots.Nature Materials,2011,10,361-366.)。最近研究表明,In3+掺杂的CdO、Sn4+掺杂的In2O3、Al3+掺杂的ZnO以及自掺杂的WO3-x、Cu2-xS、Cu2-xSe等都具有LSPR,响应波长主要集中在近红外光区域(Agrawal,A.;Cho,S.H.;Zandi,O.;Ghosh,S.;Johns,R.W.;Milliron,D.J.Localized Surface Plasmon Resonance inSemiconductor Nanocrystals.Chemical Reviews,2018,118,3121-3207.)。

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