[发明专利]半导体载具、半导体加工设备及吹扫方法

说明书

本发明公开一种半导体载具、半导体加工设备及吹扫方法，半导体载具包括载具本体，所述载具本体具有承托面，所述承托面用于承托被加工件，所述载具本体开设有进气孔，所述承托面开设有吹扫孔，所述进气孔与所述吹扫孔连通，所述进气孔配置为通入吹扫气体，所述吹扫孔配置为吹出所述吹扫气体，以吹扫用于取放所述被加工件的取放装置的表面。采用上述技术方案，可以解决目前取放装置在取片过程中可能沾染副产物而污染下一被加工件，导致被污染的被加工件在完成反应过程后出现多晶等缺陷，造成半导体等被加工件报废的问题。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体载具、半导体加工设备及吹扫方法。

背景技术

在半导体的制造过程中，可以通过化学气相沉积的方式在衬底片材上外延形成欲沉积的薄膜。在片材进行外延沉积反应之前，需采用取放装置将半导体片材等被加工件送入至反应部室中，以对被加工件进行外延沉积反应。在外延沉积反应过程中，由于反应室温度高，用气量大，副产物多，在一次外延反应结束后，取放装置伸入反应部取片的过程中，取放装置的边缘可能会沾染外延反应的副产物。如果借助该取放装置取另一被加工件进行下一外延沉积反应时，被加工件可能受取放装置边缘的副产物的污染，导致外延反应后的被加工件的表面出现多晶等缺陷，造成片材报废。

发明内容

本发明公开一种半导体载具及半导体加工设备，以解决目前取放装置在取片过程中可能沾染副产物而污染下一被加工件，导致被污染的被加工件在完成反应过程后出现多晶等缺陷，造成半导体等被加工件报废的问题。

为了解决上述问题，本发明采用下述技术方案：

第一方面，本发明公开一种半导体载具，其包括载具本体，所述载具本体具有承托面，所述承托面用于承托被加工件，所述载具本体开设有进气孔，所述承托面开设有吹扫孔，所述进气孔与所述吹扫孔连通，所述进气孔配置为通入吹扫气体，所述吹扫孔配置为吹出所述吹扫气体，以吹扫用于取放所述被加工件的取放装置的表面。

第二方面，本发明公开一种半导体加工设备，其包括传输部以及与所述传输部均连通的反应部和装载部，所述传输部设置有取放装置，所述取放装置用于从所述反应部取放被加工件以及从所述装载部取放另一被加工件，所述装载部设置有如上所述的半导体载具。

第三方面，本发明公开一种吹扫方法，应用于上述半导体加工设备，包括：

在所述反应部进行整备过程的时间段内，吹扫位于所述载具本体中承托面上方的所述取放装置。

本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果：

本发明公开一种半导体载具，其包括载具本体，载具本体具有承托面，在半导体等被加工件的加工过程中，通过承托面可以承托被加工件。由于载具本体的承托面上开设有吹扫孔，且载具本体上开设有与吹扫孔连通的进气孔，在取放装置位于载具本体的承托面上方时，通过进气孔通入吹扫气体，通过吹扫孔吹出吹扫气体，以对取放装置的表面进行吹扫，实现清洁取放装置表面的目的，防止因取放装置在自反应部取出被加工件的过程中沾染副产物，而污染下一被加工件的问题，提高半导体等被加工件的产品合格率。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明实施例公开的半导体载具的结构示意图；

图2为本发明实施例公开的半导体载具的剖面示意图。

附图标记说明：

100-载具本体、110-承托面、120-进气孔、130-吹扫孔、140-周向气路槽、150-轴向气路槽、160-取放避让沉台。

具体实施方式