[发明专利]用于低真空系统离子产生、传输与质谱联用的装置

权利要求书

1.一种用于低真空系统离子产生、传输与质谱联用的装置，其特征在于，包括依次相连的初级真空室（116）、二级真空室（117）、三级真空室（118）和四级真空室（119）；所述初级真空室（116）上设有用于产生待测样品离子的离子源、用于传输离子源所产生的待测样品离子的一级离子传输系统（105）以及用于通入辅助气体的真空泵通气接口（104）；所述离子源上加载有去溶剂化装置（102）；所述去溶剂化装置（102）内贯穿设有毛细管（101）；所述一级离子传输系统（105）为离子漏斗；

所述二级真空室（117）内设有用于对待测样品离子的同分异构体进行分离的离子迁移谱（106）；

所述三级真空室（118）内设有用于传输离子源所产生的待测样品离子的二级离子传输系统（107）；

所述四级真空室（119）内设有离子探测器（109）和用于对所测样品离子进行质量分析、得到质谱图的离子质量分析器（108）；所述离子探测器（109）和离子质量分析器（108）上下相对应设置；

所述初级真空室（116）和二级真空室（117）之间的通道位置固定有第一离子透镜（113）；所述二级真空室（117）和三级真空室（118）之间的通道位置设有第二离子透镜（114）；所述三级真空室（118）和四级真空室（119）之间的通道位置设有第三离子透镜（115）；

所述第一离子透镜（113）、第二离子透镜（114）、第三离子透镜（115）的中间均开设有用于离子穿过的通孔。

2.根据权利要求1所述的用于低真空系统离子产生、传输与质谱联用的装置，其特征在于：所述真空泵通气接口（104）位置设有辅助气体加热控温装置（103）。

3.根据权利要求2所述的用于低真空系统离子产生、传输与质谱联用的装置，其特征在于：所述初级真空室（116）上设有用于控制真空泵抽速的第一真空调节阀（110）；所述二级真空室（117）上设有用于控制二级真空室（117）的真空度的第二真空调节阀（111）；所述三级真空室（118）上设有用于控制三级真空室（118）的真空度的第三真空调节阀（112）。

4.根据权利要求1或2或3所述的用于低真空系统离子产生、传输与质谱联用的装置，其特征在于：所述离子源为置于初级真空室（116）外部的电喷雾电离源；所述电喷雾电离源与贯穿去溶剂化装置（102）的毛细管（101）相连。

5.根据权利要求1或2或3所述的用于低真空系统离子产生、传输与质谱联用的装置，其特征在于：所述离子源置于初级真空室（116）内部，且对应贯穿去溶剂化装置（102）的毛细管（101）的位置设置，且该离子源的电极加载高压；所述毛细管（101）与置于初级真空室（116）外部的挥发性气体分子产生器相连。

6.根据权利要求4所述的用于低真空系统离子产生、传输与质谱联用的装置，其特征在于：所述去溶剂化装置（102）以及毛细管（101）位于初级真空室（116）内部的一端均低于位于初级真空室（116）外部的一端，其去溶剂化装置（102）的下方设有角度和距离可调的三维移动平台（120）；所述三维移动平台（120）上对应毛细管（101）位于初级真空室（116）内部的一端端部位置设有待测样品（121）。

7.根据权利要求1或2所述的用于低真空系统离子产生、传输与质谱联用的装置，其特征在于：所述四级真空室（119）内还设有离子门（124）、飞行时间质谱仪（122）和第二离子探测器（123）；所述离子门（124）对应离子质量分析器（108）的下方位置设置；所述第二离子探测器（123）设置于离子质量分析器（108）的远离三级真空室（118）的一侧；所述飞行时间质谱仪（122）设置于离子门（124）和第二离子探测器（123）的下方，并与离子门（124）和第二离子探测器（123）呈倒“品”字形设置。

8.根据权利要求1或2所述的用于低真空系统离子产生、传输与质谱联用的装置，其特征在于：所述离子迁移谱为差分离子迁移谱或迁移管离子迁移谱或高场不对称波形迁移谱。