[发明专利]半导体制备和研发制造设施的资本设备上使用的检修隧道

说明书

本发明涉及半导体制备和研发制造设施的资本设备上使用的检修隧道，提供了一种用于处理衬底的系统，所述系统包括：被配置成往来于一个或多个处理模块输送晶片的晶片输送组件，所述晶片输送组件具有至少一个晶片输送模块，其中所述至少一个晶片输送模块的横向侧被配置成耦合到所述一个或多个处理模块；检修层被限定在晶片输送组件的下方，所述检修层被限定在比制造设施层的高度低的高度处，所述系统放置在所述制造设施层中。

本申请是申请号为201610860001.2，申请日为2016年9月28日，申请人为朗姆研究公司，发明创造名称为“半导体制备和研发制造设施的资本设备上使用的检修隧道”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体晶片加工设备，更特别地，涉及多室处理工具系统、装置和相关方法。

背景技术

在半导体制造设施(通常被称为“fab”)中，空间是有限且昂贵的，并且不能容易地增加。因此，为了实现最高的生产效率，高效的空间利用率是期望的。然而，为了维护和检修，也有必要提供到fab中的设备的足够通道(access)。

本发明的实施方式就是在这种背景下产生的。

发明内容

本公开的实施方案提供与紧凑的集群工具架构相关的方法、装置和系统。该架构包括限定在晶片输送组件下方的检修隧道，所述检修隧道利用低于制造设施层高度的底层空间。另外，晶片输送组件可包括若干缓冲器，所述若干缓冲器被定位以实现紧凑的设计(acompact footprint)并提供用于通过晶片输送组件配置晶片运动的灵活性。

根据本公开的实施方案，提供了用于处理晶片的集群工具系统，其包括：晶片输送组件，其沿所述集群工具系统的纵轴延伸，所述晶片输送组件具有被定向为朝向设备前端模块(EFEM)的前端，所述晶片输送组件具有与所述前端相对的后端；沿所述晶片输送组件的第一横向侧耦合到所述晶片输送组件的至少两个处理模块，所述晶片输送组件被配置成往来于沿所述第一横向侧耦合的所述至少两个处理模块输送晶片；沿所述晶片输送组件的第二横向侧耦合到所述晶片输送组件的至少两个处理模块，所述晶片输送组件被配置成往来于沿所述第二横向侧耦合的所述至少两个处理模块输送晶片；检修隧道，其被限定在所述晶片输送组件的下方，所述检修隧道沿着所述集群工具系统的所述纵轴从所述晶片输送组件的所述前端延伸到所述后端，所述检修隧道具有垂直尺寸，所述垂直尺寸被限定在所述晶片输送组件的底面和定位在所述晶片输送组件下方的检修层之间，所述检修层被限定在比所述制造设施层的高度低的高度处，所述集群工具系统放置在所述制造设施层中。

在一些实施方案中，所述晶片输送组件包括沿所述纵轴彼此耦合的至少两个晶片输送模块，其中所述晶片输送模块中的每一个耦合到沿所述晶片输送组件的所述第一横向侧耦合的所述处理模块中的一个，并且其中所述晶片输送模块中的每一个耦合到沿所述晶片输送组件的所述第二横向侧耦合的所述处理模块中的一个。

在一些实施方案中，所述集群工具系统进一步包括：至少两个处理模块框架，其被配置成支撑沿所述晶片输送组件的所述第一横向侧耦合的所述至少两个处理模块，并进一步被配置成搁置在所述制造设施层上；至少两个处理模块框架，其被配置成支撑沿所述晶片输送组件的所述第二横向侧耦合的所述至少两个处理模块，并进一步被配置成搁置在所述制造设施层上。

在一些实施方案中，阶梯装置被限定在所述检修隧道的后端，所述检修隧道的后端基本上被限定在所述晶片输送组件的所述后端的下方，所述阶梯装置被配置成限定从所述制造设施层向下至所述检修层的路径。

在一些实施方案中，所述检修层的所述高度在所述制造设施层的高度以下约1英尺(30.5厘米)到2英尺(61厘米)。

在一些实施方案中，所述晶片输送组件的前侧被配置为连接到装载锁，所述装载锁控制往返所述EFEM的通道，其中所述检修隧道的前端基本上延伸到所述EFEM。