[发明专利]一种利用等离子体刻蚀测量聚合物亚层光电子能谱的方法

权利要求书

1.一种利用等离子体刻蚀测量聚合物亚层光电子能谱的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将两块ITO玻璃衬底清洗，用氮气吹干，经紫外-臭氧处理之后，置于正辛基三氯硅烷溶液中修饰；

(2)在修饰后的两块ITO玻璃衬底上制备聚合物薄膜，分别标记为薄膜1和薄膜2，厚度均约为50纳米；

(3)利用紫外光电子能谱仪检测聚合物薄膜1的紫外光电子能谱；利用氧等离子体刻蚀薄膜2，薄膜2厚度减小，检测其紫外光电子能谱，紫外光电子能谱检测薄膜表面几纳米的信息。

2.根据权利要求1所述的一种利用等离子体刻蚀测量聚合物亚层光电子能谱的方法，其特征在于，步骤(1)中ITO玻璃衬底的修饰方法为，将正辛基三氯硅烷加入甲苯中配制成浓度为3.75‰的溶液，将ITO玻璃衬底浸于其中静置2小时，控制温度为85摄氏度。

3.根据权利要求1所述的一种利用等离子体刻蚀测量聚合物亚层光电子能谱的方法，其特征在于，步骤(2)中聚合物薄膜材料为可溶性聚噻吩，物薄膜1和2在相同制备条件下获得，无明显差异。

4.根据权利要求1所述的一种利用等离子体刻蚀测量聚合物亚层光电子能谱的方法，其特征在于，步骤(3)中氧等离子体放电功率为200瓦，气压为20帕斯卡，刻蚀速度为1纳米/秒，刻蚀时间为12秒。