[发明专利]一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法

权利要求书

1.一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法，其特征在于：具体步骤如下：

(1)、准备原料：包括籽晶、配料碳酸锂和五氧化二铌；

(2)、制备富锂多晶料：将步骤(1)中准备的配料按照Li2CO3/[Li2CO3+Nb2O5]摩尔比为51.0-52.0％混合，混合均匀后再进行压块，然后再通过高温烧结得到富锂多晶料；

(3)、融化：将籽晶沿Z轴方向固定，然后准备铂金坩埚，利用感应加热或电阻加热的方式将步骤(2)中得到的富锂多晶料融化在铂金坩埚中，保温10个小时后保证熔体均匀混合后将温度保持在熔点下种温度；

(4)、提拉生长：将步骤(3)中固定好的籽晶保持非旋转缓慢的方式下降到液面，控制温度保持籽晶截面积保持不变，稳定后缓慢沿Z轴方向提拉，逐渐提拉出等截面、一定长度的近化学计量比铌酸锂单晶体，脱离液面后，使铌酸锂单晶体缓慢降温。

2.根据权利要求1所述的一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法，其特征在于：步骤(1)中的籽晶为带有超晶格畴结构的掺镁同成分铌酸锂晶体或掺镁近化学计量比铌酸锂晶体。

3.根据权利要求1所述的一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法，其特征在于：步骤(2)中的混合配料的熔点低于籽晶的居里温度；步骤(2)制备的富锂多晶料熔点低于籽晶的居里温度。

4.根据权利要求1所述的一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法，其特征在于：步骤(3)中的籽晶的长度、宽度和高度比例为6：20：2-3。

5.根据权利要求1所述的一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法，其特征在于：步骤(4)中的实时温度均低于近化学计量比铌酸锂晶体的居里温度。

6.根据权利要求1所述的一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法，其特征在于：步骤(4)中的提拉速度为0.2-1.5mm/h。

7.根据权利要求1所述的一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法，其特征在于：步骤(4)中的籽晶在高温生长过程中保持超晶格结构，步骤(4)中实时提拉出的近化学计量比铌酸锂晶体为铁电相。