[发明专利]一种高电阻率的烧结R-Fe-B永磁体及其制备方法

权利要求书

1.一种高电阻率的烧结R-Fe-B永磁体,其特征在于，该永磁体的晶粒表面原位具有氮化碳包裹层,该永磁体的晶粒表面原位具有的氮化碳包裹层的厚度为3-400nm；该永磁体的制备方法:将R-Fe-B合金速凝薄片经过氢化-球磨-气流磨后得粒度1-10μm的磁粉，将氮化碳前驱体分散剂在汽化或雾化状态下与磁粉混料，得到的氮化碳前驱体分散剂包覆的磁粉在磁场取向下压制得生坯，生坯经多阶变速升温热处理至磁粉晶粒表面形成氮化碳包裹层；所述氮化碳前驱体为二氰二氨、三聚氰胺中的一种或两种组合。

2.一种权利要求1所述高电阻率的烧结R-Fe-B永磁体的制备方法，其特征在于，步骤如下：

(1)将R-Fe-B合金或R、Fe、B合金原料熔化后浇注在转动的急冷辊表面，得到R-Fe-B合金速凝薄片；

(2)将步骤(1)的R-Fe-B合金速凝薄片经过氢化-球磨-气流磨研磨，得到粒度为1-10μm的磁粉；

(3)将氮化碳前驱体加入到有机润滑剂中，搅拌至均匀分散，得到氮化碳前驱体分散剂；

(4)将步骤(3)的氮化碳前驱体分散剂在汽化或雾化状态下持续喷出，与步骤(2)的磁粉充分接触，在真空或惰性气氛下完成混料，得到氮化碳前驱体分散剂包覆的磁粉；

(5)将步骤(4)的氮化碳前驱体分散剂包覆的磁粉在磁场取向方向压制成型，经冷等静压压制后，得生坯；

(6)将步骤(5)的生坯置于真空环境中烧结，经过多阶变速升温至1000-1050℃，热处理至磁粉晶粒表面原位生成3-400nm的氮化碳包裹层，制得高电阻率的烧结R-Fe-B永磁体。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述R-Fe-B合金或R、Fe、B合金原料中，R为Nd、Pr、Dy或Tb中的一种或两种以上，其占比为25-35wt％；B占比为0.8-1.5wt％；剩余为Fe。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述R-Fe-B合金或R、Fe、B合金原料中还包括M，M为Ti、Ga、Cu、Al或Zr中的一种或两种以上，其总量占比为0.5-5wt％。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，R-Fe-B合金的熔化温度为1200-1400℃。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述有机润滑剂为脂肪酸酯、汽油、硅油、乙醚中的一种或者两种以上；氮化碳前驱体的用量为有机润滑剂重量的35-65％；

搅拌时间为4-12h。

7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，氮化碳前驱体分散剂的重量为磁粉重量的0.02-4％，混料3-6h。

8.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(6)中，所述多阶变速升温的具体操作为：在300-400℃范围内以2-5℃/min升温速率升温，在400-650℃范围内以3-8℃/min升温速率升温至650℃，在650℃保温70-90min，再以5-10℃/min升温速率升温至1000-1050℃烧结4-6h。