[发明专利]一种降低RFID电磁辐射的电路结构及其方法

说明书

一种降低RFID电磁辐射的电路结构及其方法，包括调制解调电路、EMC滤波电路、阻抗匹配网络、反馈网络和天线，UF14芯片RF522及其外围电路集成为调制解调电路，反馈网络包括RF6、RF9、CF31，天线包括RF60、RF61及PCB走线线圈；方法包括：步骤一，PCB布板中RF60、RF61与天线距离尽量短，双端网络阻容对称分布；步骤二，通过“RC500天线设计计算工具”计算出与线圈相匹配的等效电阻和电容，进行参数匹配；步骤三，配置RC522相关芯片内部的寄存器，通过对相关寄存器的配置实现发射功率的调整。解决了现有的医疗器械领域使用RFID功能引起RE辐射超标的问题。

技术领域

本发明涉及一种电路结构，更具体的说涉及一种降低RFID电磁辐射的电路结构及其方法，属于医疗器械技术领域。

背景技术

无线射频识别即射频识别技术（Radio Frequency Identification，RFID），是自动识别技术的一种，其通过无线射频方式进行非接触双向数据通信，利用无线射频方式对记录媒体（电子标签或射频卡）进行读写，从而达到识别目标和数据交换的目的。

在对EMC无要求或者要求低的领域使用RFID功能时，难点在于调整合适的RFID匹配参数，增大发射功率，达到增大刷卡距离的目的。而在医疗器械对EMC要求严格的领域使用RFID功能时，难点在于调整合适的RFID匹配参数，降低发射功率，合理调整刷卡距离，达到既能通过EMC测试又不影响客户体验的目的。

发明内容

本发明的目的在于针对现有技术中存在的上述问题，提供一种降低RFID电磁辐射的电路结构及其方法。

为实现上述目的，本发明的技术解决方案是： 一种降低RFID电磁辐射的电路结构，包括调制解调电路、EMC滤波电路、阻抗匹配网络、反馈网络和天线，所述的UF14芯片RF522及其外围电路集成为调制解调电路，所述的阻抗匹配网络包括电容CF20、CF21、CF22、CF23、CF24、CF25、CF32、CF33，所述的反馈网络包括RF6、RF9、CF31，所述的天线包括RF60、RF61及PCB走线线圈，所述RF522的管脚1、管脚4、管脚5和管脚18均接地，RF522的管脚2、管脚3和管脚15均与VGEN6连接，RF522的管脚10和管脚14均与DGND3连接，RF522的管脚12与VGEN7连接，RF522的管脚6分别接电阻RF25一端和电容CF147一端，所述电阻RF25的另一端与VGEN6连接，所述电容CF147的另一端接地，RF522的管脚16与电容CF29一端连接，所述电容CF29的另一端与DGND3连接，RF522的管脚22分别接电容CF34一端和晶振YF5一端，所述电容CF34的另一端连接电容CF35一端，所述晶振YF5的另一端与电容CF35另一端连接，RF522的管脚32分别与电阻RF63一端和电阻RF64一端连接，所述电阻RF63的另一端与VGEN6连接，所述RF64的另一端接地，所述的EMC滤波电路包括LF6、CF26、FA13和LF7、CF27、FA15，所述电感LF6一端分别与电容CF26一端、磁珠FA11一端连接，电感LF6另一端接RF522的管脚11TX1，所述电容CF26的另一端与DGND3连接，所述磁珠FA13的另一端分别与电容CF20一端、CF32一端、电阻RF9一端连接，所述电阻RF9的另一端与电容CF31一端连接，所述电容CF31的另一端与电阻RF6一端连接，所述所述电容CF20的另一端、CF32的另一端均与电容CF22一端、电容CF24一端、电阻RF60一端连接，所述电容CF22的另一端分别与电容CF23一端、电容CF25一端、电容CF24另一端、磁珠FA14一端和DGND3连接，所述电容CF23的另一端分别与电容CF21一端、电容CF33一端、电容CF25另一端、电阻RF61一端连接，所述电容CF21另一端、电容CF33另一端均与磁珠FA15一端连接，所述磁珠FA15另一端分别与电容CF27一端、电感LF7一端连接，电感LF7另一端接RF522的管脚13TX2，所述电容CF27的另一端与DGND3连接，所述电阻RF60的另一端、电阻RF61的另一端和磁珠FA14另一端均连接天线。