[发明专利]半导体器件制备中低表面损伤的两步干法刻蚀方法在审
| 申请号： | 202010401018.8 | 申请日： | 2020-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN111554575A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 陈鹏;徐儒;潘传真;封建波;谢自力;修向前;陈敦军;刘斌;赵红;张荣;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京大学;国网山东省电力公司电力科学研究院 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/67 |
| 代理公司： | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人： | 张佳妮 |
| 地址： | 210046 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 表面 损伤 两步干法 刻蚀 方法 | ||
1.一种半导体器件制备中低表面损伤的两步干法刻蚀方法，其步骤包括：
(1)器件表面清洁；
(2)高速的纵向ICP干法刻蚀；
(3)低速的纵向ICP干法刻蚀；
其特征在于：步骤(2)中的RF功率在步骤(3)中RF功率的200％以上，步骤(3)中的ICP功率在步骤(2)中ICP功率的200％以上。
2.根据权利要求1所述的两步干法刻蚀方法，其特征在于：步骤(2)中设定RF功率为80～100W，ICP功率为0～100W；步骤(3)中设定RF功率为0～10W，ICP功率为500～600W。
3.根据权利要求2所述的两步干法刻蚀方法，其特征在于：步骤(2)中设定RF功率为100W，ICP功率为100W；步骤(3)中设定RF功率为10W，ICP功率为600W。
4.根据权利要求1所述的两步干法刻蚀方法，其特征在于：所述步骤(2)和(3)在ICP腔室里连续完成。
5.根据权利要求2所述的两步干法刻蚀方法，其特征在于：步骤(2)完成所需刻蚀深度的80～90％，剩余的刻蚀深度由步骤(3)完成。
6.根据权利要求3所述的两步干法刻蚀方法，其特征在于：步骤(1)中先后经过有机溶剂清洁和酸清洁，所述有机溶剂清洁是指将器件浸泡在有机溶剂中，所述酸清洁是指将器件浸泡在质量浓度为5～10％的酸性溶液中。
7.根据权利要求6所述的两步干法刻蚀方法，其特征在于：所述有机溶剂为乙醇、丙酮、乙醚、甲醇、异丙醇、乙二醇醚、三氯乙烷或四氯化碳中的一种或混合物。
8.根据权利要求6所述的两步干法刻蚀方法，其特征在于：所述酸性溶液为盐酸、硫酸、磷酸、氢氟酸或硝酸。
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