[发明专利]化合物半导体异质结双极晶体管在审
| 申请号： | 202010401293.X | 申请日： | 2020-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN112242438A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 高谷信一郎 | 申请（专利权）人： | 高谷信一郎 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 李珊珊 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 异质结 双极晶体管 | ||
1.一种化合物半导体异质结双极晶体管，为包括在GaAs基板上依次形成的集电区层、基区层及发射区层的npn型双极晶体管，其特征在于，
所述集电区层、所述基区层及所述发射区层均包含在所述GaAs基板上磊晶生长且实质上并无由晶格失配所致的应变弛豫的化合物半导体层，
所述基区层至少包含赝晶生长的InGaAs层，且
所述发射区层至少包含具有CuPt型秩序的InGaP层。
2.根据权利要求1所述的化合物半导体异质结双极晶体管，其特征在于，
所述具有CuPt型秩序的InGaP层在室温下的带隙处于1.76eV至1.86eV的范围。
3.根据权利要求2所述的化合物半导体异质结双极晶体管，其特征在于，
将所述具有CuPt型秩序的InGaP层的组成记述为IniGa1-iP时的In含量i处于0.48至0.5的范围。
4.根据权利要求1所述的化合物半导体异质结双极晶体管，其特征在于，
将所述InGaAs层的组成记述为InjGa1-jAs时的In含量j的平均值处于0.05至0.12的范围。
5.一种化合物半导体异质结双极晶体管，为包括在GaAs基板上依次形成的集电区层、基区层及发射区层的npn型双极晶体管，其特征在于，
所述集电区层、所述基区层及所述发射区层均包含在所述GaAs基板上磊晶生长且实质上并无由晶格失配所致的应变弛豫的化合物半导体层，
所述基区层至少包含赝晶生长的第一InGaAs层及在所述第一InGaAs层上同样地赝晶生长的第二InGaAs层，且
所述第二InGaAs层的p型杂质浓度小于所述第一InGaAs层的p型杂质浓度。
6.根据权利要求5所述的化合物半导体异质结双极晶体管，其特征在于，
所述第二InGaAs层的p型杂质浓度为所述第一InGaAs层的p型杂质浓度的1/2以下。
7.根据权利要求6所述的化合物半导体异质结双极晶体管，其特征在于，
所述第一InGaAs层的p型杂质浓度为2×1019cm-3以上。
8.根据权利要求5所述的化合物半导体异质结双极晶体管，其特征在于，
所述第二InGaAs层的厚度处于1nm至6nm的范围。
9.根据权利要求5所述的化合物半导体异质结双极晶体管，其特征在于，
所述第一InGaAs层及所述第二InGaAs层均是将其组成记述为InjGa1-jAs时的In含量j的平均值处于0.05至0.12的范围。
10.根据权利要求5所述的化合物半导体异质结双极晶体管，其特征在于，
所述发射区层至少包含InGaP层。
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